【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装及其制备方法
本专利技术涉及半导体封装领域，特别是涉及一种半导体封装及其制备方法。
技术介绍
随着半导体技术的不断的发展，半导体晶粒变得越来越小，然而，需要将更多的功能整合至半导体晶粒中，而相应的半导体晶粒的封装也越来越引起人们的关注。在现有的半导体封装中，通常是在载板上形成金属布线层，进而在所述金属布线层上设置半导体芯片，进而形成模塑化合物层以封装所述半导体芯片以及所述金属布线层的上表面，现有半导体封装在稳定性方面有待改进。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种半导体封装及其制备方法。为实现上述目的，本专利技术提出的一种半导体封装的制备方法，包括以下步骤：(1)提供一第一临时衬底，在所述第一临时衬底上形成一刻蚀停止层，接着在所述刻蚀停止层上形成一第一导电层，接着在所刻蚀停止层和所述第一导电层上形成第一钝化层，去除部分所述第一钝化层以暴露部分的所述第一导电层，接着在所述第一导电层和所述第一钝化层上形成第二导电层，使得所述第二导电层与所述第一导电层电...
【技术保护点】
1.一种半导体封装的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：/n(1)提供一第一临时衬底，在所述第一临时衬底上形成一刻蚀停止层，接着在所述刻蚀停止层上形成一第一导电层，接着在所刻蚀停止层和所述第一导电层上形成第一钝化层，去除部分所述第一钝化层以暴露部分的所述第一导电层，接着在所述第一导电层和所述第一钝化层上形成第二导电层，使得所述第二导电层与所述第一导电层电连接，接着在所述第一钝化层和所述第二导电层上形成形成第二钝化层，去除部分所述第二钝化层以暴露部分的所述第二导电层，接着在所述第二导电层上形成多个第一导电凸块；/n(2)提供第二临时衬底，在所述第二临时衬底上设置多个半导体芯片...
【技术特征摘要】
1.一种半导体封装的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)提供一第一临时衬底，在所述第一临时衬底上形成一刻蚀停止层，接着在所述刻蚀停止层上形成一第一导电层，接着在所刻蚀停止层和所述第一导电层上形成第一钝化层，去除部分所述第一钝化层以暴露部分的所述第一导电层，接着在所述第一导电层和所述第一钝化层上形成第二导电层，使得所述第二导电层与所述第一导电层电连接，接着在所述第一钝化层和所述第二导电层上形成形成第二钝化层，去除部分所述第二钝化层以暴露部分的所述第二导电层，接着在所述第二导电层上形成多个第一导电凸块；
(2)提供第二临时衬底，在所述第二临时衬底上设置多个半导体芯片，每个所述半导体芯片具有有源面以及与所述有源面相对的非有源面，所述半导体芯片的所述有源面面向所述第二临时衬底，在所述非有源面的每条边上均形成多个间隔设置第一凹槽，其中，位于每条边的中间区域的第一凹槽的深度最浅，而位于每条边的两端部的第一凹槽的深度最深，且从所述中间区域到所述端部的第一凹槽的深度逐渐增大；
(3)提供第三临时衬底，将所述第三临时衬底粘附至所述多个半导体芯片的所述非有源面，接合去除所述第二临时衬底，接着在每个所述半导体芯片的所述有源面的焊垫上形成第二导电凸块；
(4)接着将多个所述半导体芯片接合至所述第二导电层上，使得每个所述半导体芯片上的所述第二导电凸块连接至相应的所述第一导电凸块上，接着在所述刻蚀停止层、所述第一钝化层以及所述第二钝化层中形成多个环形凹槽，在俯视图中每个所述环形凹槽围绕相应的所述半导体芯片，每个所述环形凹槽均暴露所述第一临时衬底的上表面；
(5)接着在所述第一临时衬底上形成第一模塑层，其部分所述第一模塑层嵌入到每个所述环形凹槽中，接着去除所述第一临时衬底，沿着每个所述环形凹槽实施切割工艺，以形成多个分离的第一封装构件；
(6)提供一线路基板，在所述线路基板的上表面的每条边上均形成多个间隔设置第二凹槽，其中，位于每条边的中间区域的第二凹槽的深度最深，而位于每条边的两端部的第二凹槽的深度浅，且从所述中间区域到所述端部的第二凹槽的深度逐渐减小，接着将多个所述第一封装构件接合至所述线路基板；<...
【专利技术属性】
技术研发人员：秦岭，
申请(专利权)人：济南南知信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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