一种芯片集成电路封装及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种芯片集成电路封装及其制造方法。本发明专利技术利用可激光活化有机物层和塑封层形成密封结构，摒弃了传统的基板或引线框封装，可以实现薄型化。可以极为简便的形成弯曲型封装或竖直封装结构，并且可以保证弯曲处的电连接的可靠性。可激光活化有机物层的基体材料与塑封层材料选择为相同的材料，可以保证两者之间的粘合力以提高塑封效果，且可以使得活化的金属进入塑封层内，保证活化金属与塑封层的粘附力。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片集成电路封装及其制造方法
本专利技术涉及半导体封装
，具体涉及一种芯片集成电路封装及其制造方法。
技术介绍
COB结构或引线框结构是半导体封装领域所常用的结构，其通过将芯片固定于电路板或引线框上并进行电连接，实现芯片的电路板或引线框上集成，该种结构是不利于薄型化和轻量化的，同时也不便于制造折弯型的封装结构。对于芯片集成电路封装而言，由于芯片尤其是功率芯片在其工作时，会产生大量的热辐射，其热阻系数较高，不利于散热。现有技术中，有利用金属镀层作为外部连接端而将芯片直接塑封，此时可以实现薄型化，但是金属镀层与塑封层的粘合力不够，且会造成污染。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种芯片集成电路封装的制造方法，其包括以下步骤：(1)提供第一模具，所述第一模具具有一空腔，所述空腔包括水平的底壁和两个相对且竖直的侧壁，所述底壁与所述侧壁倒角连接；(2)在所述底壁和侧壁上涂覆可激光活化有机物形成一有机物层，所述有机物层包括水平的第一部分、竖直的第二部分和第三部分以及连接所述第一部分和第二部分的第一曲面连接部、连接所述第一部分和第二部分的第二曲面连接部；(3)在所述第一至第三部分上分别固定第一芯片、第二芯片和第三芯片，并形成多个第一键合线、多个第二键合线和多个第三键合线，所述第一至第三键合线的一端分别键合至所述第一至第三芯片上，所述第一至第三键合线的另一端键合至所述有机物层上；(4)提供第二模具，并使得第二模具与第一模具之间形成塑封腔，所述塑封腔容纳所述第一至第三芯片以及所述有机物层；(5)在所述塑封腔内注塑形成塑封层并进行固化，所述塑封层密封所述第一至第三芯片以及第一至第三键合线；(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有机物层，利用激光照射所述第一至第三键合线的第二端位置处的所述有机物层，使得所述有机物层的可激光活化有机物被活化为金属材料，以形成多个分别电连接至所述第一至第三键合线的第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；(7)利用所述激光继续照射所述有机物层，以在所述有机物层的所述第一曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第二焊盘的第一导线，在所述有机物层的所述第二曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第三焊盘的第二导线。根据本实施例，所述可激光活化有机物包括基体材料和金属络合物材料，所述基体材料与所述塑封层的材料相同。根据本实施例，所述金属络合物材料可以是具有可活化金属材料的改性的聚丙烯(PPMID)或改性的聚对苯二甲酸丁二酯(PBTMID)，其可以是铜的络合物。本专利技术还提供了一种芯片集成电路封装，其由上述的制造方法形成。本专利技术还提供了一种芯片集成电路封装的制造方法，其包括以下步骤：(1)提供平板状的第一模具，在所述第一模具上涂覆可激光活化有机物形成一有机物层；(2)在所述有机物层上间隔的固定第一芯片和第二芯片，并形成多个第一键合线和多个第二键合线，所述第一键合线和第二键合线的一端分别键合至所述第一芯片和第二芯片上，所述第一键合线和第二键合线的另一端键合至所述有机物层上；(4)提供第二模具，使得第二模具与第一模具之间形成塑封腔，所述塑封腔容纳所述第一芯片和第二芯片以及所述有机物层，并且所述第二模具的下表面具有一突起部，所述突起部位于所述第一芯片和第二芯片之间；(5)在所述塑封腔内注塑形成塑封层并进行固化，所述塑封层密封所述第一芯片和第二芯片以及第一键合线和第二键合线，所述塑封层包括对应于所述突起部的凹槽，所述凹槽的横截面呈等腰倒梯形，所述凹槽的侧壁与底壁之间的夹角为钝角；(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有机物层，利用激光照射所述第一键合线和第二键合线的第二端位置处的所述有机物层，使得所述有机物层的可激光活化有机物被活化为金属材料，以形成多个分别电连接至所述第一键合线和第二键合线的第一焊盘和第二焊盘；(7)利用所述激光继续照射所述有机物层，以在所述有机物层中形成电连接所述第一焊盘和第二焊盘的导线；(8)沿着所述凹槽进行弯折，以使得第一芯片和第二芯片呈一定的夹角。根据本实施例，所述钝角为120-150度。根据本实施例，所述凹槽底部具有相对于其他位置处较薄的塑封层。根据本实施例，在步骤(8)中，所述弯折同时使得所述导线形成一弧形结构。本专利技术还提供了一种芯片集成电路封装，其由上述的制造方法形成。本专利技术的有益效果如下：(1)利用可激光活化有机物层和塑封层形成密封结构，摒弃了传统的基板或引线框封装，可以实现薄型化。(2)可以极为简便的形成弯曲型封装或竖直封装结构，并且可以保证弯曲处的电连接的可靠性。(3)可激光活化有机物层的基体材料与塑封层材料选择为相同的材料，可以保证两者之间的粘合力以提高塑封效果，且可以使得活化的金属进入塑封层内，保证活化金属与塑封层的粘附力。附图说明图1为第一实施例的芯片集成电路封装的剖面图；图2-5为第一实施例的芯片集成电路封装的制造方法示意图；图6-9为第二实施例的芯片集成电路封装的制造方法示意图；图10和图11为第二实施例的芯片集成电路封装的剖面图。具体实施方式为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。下面将结合附图对根据本专利技术公开实施例的芯片集成电路封装进行详细的描述。第一实施例请参照图1，本申请的芯片集成电路封装，其截面图呈U型，且包括有机物层104，该有机物层104的材料为可激光活化有机物，具体可以包括基体材料和金属络合物材料，其基体材料可以是环氧树脂、聚酰亚胺、聚四氟乙烯、PEN、PET等，而该金属络合物材料可以是具有可活化金属材料的改性的聚丙烯(PPMID)或改性的聚对苯二甲酸丁二酯(PBTMID)，其可以是铜的络合物。所述有机物层104的截面呈U型，包括水平的第一部分105、竖直的第二部分106和第三部分107以及连接所述第一部分105和第二部分106的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片集成电路封装的制造方法，其包括以下步骤：/n(1)提供第一模具，所述第一模具具有一空腔，所述空腔包括水平的底壁和两个相对且竖直的侧壁，所述底壁与所述侧壁倒角连接；/n(2)在所述底壁和侧壁上涂覆可激光活化有机物形成一有机物层，所述有机物层包括水平的第一部分、竖直的第二部分和第三部分以及连接所述第一部分和第二部分的第一曲面连接部、连接所述第一部分和第三部分的第二曲面连接部；/n(3)在所述第一至第三部分上分别固定第一芯片、第二芯片和第三芯片，并形成多个第一键合线、多个第二键合线和多个第三键合线，所述第一至第三键合线的一端分别键合至所述第一至第三芯片上，所述第一至第三键合线的另一端键合至所述有机物层上；/n(4)提供第二模具，并使得第二模具与第一模具之间形成塑封腔，所述塑封腔容纳所述第一至第三芯片以及所述有机物层；/n(5)在所述塑封腔内注塑形成塑封层并进行固化，所述塑封层密封所述第一至第三芯片以及第一至第三键合线；/n(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有机物层，利用激光照射所述第一至第三键合线的第二端位置处的所述有机物层，使得所述有机物层的可激光活化有机物被活化为金属材料，以形成多个分别电连接至所述第一至第三键合线的第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；/n(7)利用所述激光继续照射所述有机物层，以在所述有机物层的所述第一曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第二焊盘的第一导线，在所述有机物层的所述第二曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第三焊盘的第二导线。/n...

【技术特征摘要】
1.一种芯片集成电路封装的制造方法，其包括以下步骤：
(1)提供第一模具，所述第一模具具有一空腔，所述空腔包括水平的底壁和两个相对且竖直的侧壁，所述底壁与所述侧壁倒角连接；
(2)在所述底壁和侧壁上涂覆可激光活化有机物形成一有机物层，所述有机物层包括水平的第一部分、竖直的第二部分和第三部分以及连接所述第一部分和第二部分的第一曲面连接部、连接所述第一部分和第三部分的第二曲面连接部；
(3)在所述第一至第三部分上分别固定第一芯片、第二芯片和第三芯片，并形成多个第一键合线、多个第二键合线和多个第三键合线，所述第一至第三键合线的一端分别键合至所述第一至第三芯片上，所述第一至第三键合线的另一端键合至所述有机物层上；
(4)提供第二模具，并使得第二模具与第一模具之间形成塑封腔，所述塑封腔容纳所述第一至第三芯片以及所述有机物层；
(5)在所述塑封腔内注塑形成塑封层并进行固化，所述塑封层密封所述第一至第三芯片以及第一至第三键合线；
(6)移除所述第一和第二模具以露出所述有机物层，利用激光照射所述第一至第三键合线的第二端位置处的所述有机物层，使得所述有机物层的可激光活化有机物被活化为金属材料，以形成多个分别电连接至所述第一至第三键合线的第一焊盘、第二焊盘和第三焊盘；
(7)利用所述激光继续照射所述有机物层，以在所述有机物层的所述第一曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第二焊盘的第一导线，在所述有机物层的所述第二曲面连接部上形成电连接所述第一焊盘和第三焊盘的第二导线。


2.根据权利要求1所述的芯片集成电路封装的制造方法，其特征在于：所述可激光活化有机物包括基体材料和金属络合物材料，所述基体材料与所述塑封层的材料相同。


3.根据权利要求2所述的芯片集成电路封装的制造方法，其特征在于：所述金属络合物材料可以是具有可活化金属材料的改性的聚丙烯(PPMID)或改性的聚对苯二甲酸丁二酯(PBTMID)，其可以是铜的络合物。


4.一种芯片集成电路封装，其由权...

【专利技术属性】
技术研发人员：侯新飞，崔文杰，
申请(专利权)人：济南南知信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37