一种嵌入式铂电偶传感器制造技术

本发明专利技术提供了一种嵌入式铂电偶传感器，其利用半导体衬底集成铂电偶实现测温传感器装置，其中硅衬底耐腐蚀性强，且导热性良好，并可以通过在半导体衬底中形成P阱和N阱并施加补偿电压，来降低衬底对热电偶的测温准确度的影响。在优选的实施例中，利用多晶硅通孔实现双面铂电偶，可以保证接触的可靠性和测温准确性，并且多晶硅的热效应对铂电偶的测温准确性影响极低。

【技术实现步骤摘要】
一种嵌入式铂电偶传感器
本专利技术涉及半导体元件制造
，具体涉及一种在半导体衬底上的嵌入式铂电偶传感器。
技术介绍
热电偶作为主要测温手段，用途十分广泛，铂导体的电阻值随温度变化而变化，通过测量其电阻值推算出被测物体的温度，这就是电阻温度传感器的工作原理。铂电偶传感器是利用铂电阻的阻值随温度变化而变化、并呈一定函数关系的特性来进行测温。铂电偶的测量精度在±1℃范围内，但是其准确度不高，尤其是衬底或结合部件具有相应的热阻效应。
技术实现思路
基于解决上述问题，本专利技术提供了一种嵌入式铂电偶传感器，其包括：衬底，所述衬底包括相对的上表面和下表面；第一N阱，形成于所述衬底的上表面；第一P阱，形成于所述第一N阱内，且所述第一P阱的深度小于所述第一N阱的深度；凹槽，形成在所述第一P阱内；铂电偶，形成在所述凹槽内且嵌入在所述衬底中。进一步的，所述衬底为硅衬底，其为P型轻掺杂。进一步的，所述衬底接地。进一步的，还包括介于所述第一P阱域所述铂电偶之间的绝缘层，所述绝缘层本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种嵌入式铂电偶传感器，其包括：/n衬底，所述衬底包括相对的上表面和下表面；/n第一N阱，形成于所述衬底的上表面；/n第一P阱，形成于所述第一N阱内，且所述第一P阱的深度小于所述第一N阱的深度；/n凹槽，形成在所述第一P阱内；/n铂电偶，形成在所述凹槽内且嵌入在所述衬底中。/n

【技术特征摘要】
1.一种嵌入式铂电偶传感器，其包括：
衬底，所述衬底包括相对的上表面和下表面；
第一N阱，形成于所述衬底的上表面；
第一P阱，形成于所述第一N阱内，且所述第一P阱的深度小于所述第一N阱的深度；
凹槽，形成在所述第一P阱内；
铂电偶，形成在所述凹槽内且嵌入在所述衬底中。


2.根据权利要求1所述的嵌入式铂电偶传感器，其特征在于，所述衬底为硅衬底，其为P型轻掺杂。


3.根据权利要求2所述的嵌入式铂电偶传感器，其特征在于，所述衬底接地。


4.根据权利要求2所述的嵌入式铂电偶传感器，其特征在于，还包括介于所述第一P阱域所述铂电偶之间的绝缘层，所述绝缘层为氮化硅。


5.根据权利要求1所述的嵌入式铂电偶传感器，其特征在于，所述铂电偶加载第一电压V1，所述第一N阱和第一P阱之间加载第二电压V2，其中，V1与V2呈线性关系。


6.根据权利要求5所述的嵌入式铂电偶传感器，其特征在于，所述铂电偶为均匀线性结构，其横截面积为S，其长度为L，其中，V1＝X·L·V2/S，X为补偿因子，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨振洲，
申请(专利权)人：济南南知信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37