在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板技术

本发明专利技术公开一种在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板。具体的实施方式可包括：提供介电层；将铜层与介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆铜层的第一侧；在镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对镍层进行喷蚀。方法可包括：将蚀刻剂在介电层上保持预定时间段；以及在保持蚀刻剂的同时，基本上仅蚀刻镍层，直到镍层可与铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。

【技术实现步骤摘要】
在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板相关申请的交叉引用本申请要求授予Takakusaki等人的名称为“蚀刻的镀镍基板和相关方法(ETCHEDNICKELPLATEDSUBSTRATEANDRELATEDMETHODS)”的美国临时专利申请62/848,182的提交日期的权益，该申请提交于2019年5月15日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。
本文件的各方面整体涉及在基板上蚀刻镍的方法及半导体基板，诸如镀覆有各种金属的那些半导体基板。
技术介绍
半导体基板可以是用各种金属电镀的或化学镀覆的。使用其上具有各种金属的半导体基板来在各种半导体器件和耦接至半导体器件的无源部件之间路由信号和功率。
技术实现思路
根据本专利技术的第一方面，提供了一种在基板上蚀刻镍的方法，包括：提供介电层；将铜层与所述介电层的第一侧耦接；用镍层镀覆所述铜层的第一侧；在所述镍层上形成图案化层；以及使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀。该方法还可包括：将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段；以及在保持蚀刻剂的同时，对镍层进行蚀刻，直到镍层可与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在基板上蚀刻镍的方法，所述方法包括：/n提供介电层；/n将铜层与所述介电层的第一侧耦接；/n用镍层镀覆所述铜层的第一侧；/n在所述镍层上形成图案化层；/n使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀；/n将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段；以及/n在保持所述蚀刻剂的同时，对所述镍层进行蚀刻，直到所述镍层与所述铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。/n

【技术特征摘要】
20190515 US 62/848,182;20190703 US 16/502,4821.一种在基板上蚀刻镍的方法，所述方法包括：
提供介电层；
将铜层与所述介电层的第一侧耦接；
用镍层镀覆所述铜层的第一侧；
在所述镍层上形成图案化层；
使用蚀刻剂对所述镍层进行喷蚀；
将所述蚀刻剂在所述介电层上保持预定时间段；以及
在保持所述蚀刻剂的同时，对所述镍层进行蚀刻，直到所述镍层与所述铜层中的多个迹线中的每一个迹线的周边基本上共延。


2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述蚀刻剂包含氯化铁。


3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述预定时间段在60秒至90秒的范围内，并且其中，保持所述蚀刻剂还包括将所述蚀刻剂保持在43摄氏度至47摄氏度范围内的温度下。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，对所述镍层进行喷蚀还包括在220千帕至280千帕范围内的压力下喷涂所述蚀刻剂。


5.一种在基板上蚀刻镍的方法，所述方法包括：
提供介电层；
将铜层与所述介电层的第一侧耦接；
用镍层镀覆所述铜层的第一侧；
在所述镍层上形成图案化层；
使用蚀刻剂对...

【专利技术属性】
技术研发人员：高草木贞道，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：美国;US