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本发明涉及一种半导体封装及其制备方法，该方法包括：在第一临时衬底上形成一刻蚀停止层、第一导电层、第一钝化层、第二导电层、第二钝化层以及第一导电凸块；在第二临时衬底上设置多个半导体芯片，在半导体芯片的非有源面的每条边上均形成多个间隔设置第一凹...
该专利属于济南南知信息科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过济南南知信息科技有限公司授权不得商用。

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