一种用于原子层沉积设备进气管路制造技术

本实用新型专利技术涉及一种用于原子层沉积设备进气管路，包括源瓶A、ALD手动阀A、ALD气动阀A、氮气吹扫阀、单向阀A、单向阀B、主管路、反应室、ALD气动阀B、ALD手动阀B、源瓶B；所述源瓶A与ALD手动阀、ALD气动阀连接在管路A上，并且该管路A通过单向截止阀A与主管路连接；所述源瓶B与AlD手动阀B、ALD气动阀B连接在管路B上，并且该管路B通过单向截止阀B与主管路连接；所述主管路的一端与反应室连接，另一端与氮气吹扫阀连接。其具有结构设计合理、操作使用方便，能够有效避免管路因前驱体吹扫不干净导致的管路堵塞，以及提高加工作业的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种用于原子层沉积设备进气管路
本技术涉及原子层沉积设备
，尤其涉及一种用于原子层沉积设备进气管路。
技术介绍
原子层沉积是通过将气相前驱体脉冲交替地通入反应器并在沉积基体上化学吸附并反应而形成沉积膜的一种方法。第一种前驱体输入到基体材料表面并通过化学吸附(饱和吸附)保持在表面。当第二种前驱体通入反应器，就会与已吸附于基体材料表面的第一前驱体发生反应。两个前驱体之间会发生置换反应并产生相应的副产物，直到表面的第一前驱体完全消耗，反应会自动停止并形成需要的原子层。不断重复这种反应即可再基体表面形成所需的薄膜。但是，现阶段的原子层沉积设备管路因为前驱体源的残留导致两个前驱体发生反应，管路堵塞不能避免。本技术正是基于上述研究背景而提出，旨在提供了一种用于原子层沉积设备进气管路以克服上述缺陷，满足实际设计及使用需要。
技术实现思路
针对现有技术中的原子层沉积设备存在的上述不足，本技术的目的在于：提供一种用于原子层沉积设备进气管路，其具有结构设计合理、操作使用方便，能够有效避免管路因前驱体吹扫不干净导致的管路堵塞，以及提高加本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于原子层沉积设备进气管路，其特征在于：包括源瓶A(1)、ALD手动阀A(2)、ALD气动阀A(3)、氮气吹扫阀(4)、单向阀A(5)、单向阀B(6)、主管路(7)、反应室(8)、ALD气动阀B(9)、ALD手动阀B(10)、源瓶B(11)；其中，所述源瓶A与ALD手动阀A、ALD气动阀A连接在管路A上，并且该管路A通过单向截止阀A与主管路连接；所述源瓶B与AlD手动阀B、ALD气动阀B连接在管路B上，并且该管路B通过单向截止阀B与主管路连接；所述主管路的一端与反应室连接，另一端与氮气吹扫阀连接。/n

【技术特征摘要】
1.一种用于原子层沉积设备进气管路，其特征在于：包括源瓶A(1)、ALD手动阀A(2)、ALD气动阀A(3)、氮气吹扫阀(4)、单向阀A(5)、单向阀B(6)、主管路(7)、反应室(8)、ALD气动阀B(9)、ALD手动阀B(10)、源瓶B(11)；其中，所述源瓶A与ALD手动阀A、ALD气动阀A连接在管路A上，并且该管路A通过单向截止阀A与主管路连接；所述源瓶B与AlD手动阀B、ALD气动阀B连接在管路...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏守冲，
申请(专利权)人：磐石创新江苏电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32