一种气流分布装置及薄膜沉积设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例公开了一种气流分布装置及薄膜沉积设备，该气流分布装置包括：气体分散腔体；气体分散腔体具有进气口以及与进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构，孔径结构为气体分散盘且气体分散盘具有多个第一通孔；气体分散腔体用于通过孔径结构中第一通孔对进入的气体进行气流路径补偿，和/或，气体分散腔体用于通过分散体结构对进入的气体进行气流路径补偿。本实用新型专利技术实施例中，气体从进气口进入，经过孔径结构和/或分散体结构实现了气流路径补偿，提高了腔体内部气体流量分布的均匀性，进而提高了后续镀膜工艺的均匀性。

【技术实现步骤摘要】
一种气流分布装置及薄膜沉积设备
本技术实施例涉及镀膜技术，尤其涉及一种气流分布装置及薄膜沉积设备。
技术介绍
薄膜沉积是集成电路制造过程中必不可少的环节，现有的薄膜沉积工艺有多种，其中包括原子层沉积。原子层沉积是将气相前驱体脉冲交替的通入反应器并在基体上化学吸附并反应形成沉积膜。目前，气相前驱体通入的反应器中集成有气盘，气盘用于提高气相前驱体的扩散均匀性，通过对气相前驱体分散输出使其较为均匀的沉积在基体上形成沉积膜。然而，采用现有气盘在基体上沉积的薄膜的均匀性比较差，会出现薄膜中间厚边缘薄的问题，甚至中间厚度为边缘厚度的2倍，严重影响器件性能。
技术实现思路
本技术实施例提供一种气流分布装置及薄膜沉积设备，以解决现有镀膜不均匀的问题。本技术实施例提供了一种气流分布装置，包括：气体分散腔体；所述气体分散腔体具有进气口以及与所述进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构，所述孔径结构为气体分散盘，且所述气体分散盘具有多个第一通孔；所述气体分散腔体用于通过所述孔径结构中的所述第一通孔对进入的气体进本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种气流分布装置，其特征在于，包括：气体分散腔体；/n所述气体分散腔体具有进气口以及与所述进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构，所述孔径结构为气体分散盘，且所述气体分散盘具有多个第一通孔；/n所述气体分散腔体用于通过所述孔径结构中的所述第一通孔对进入的气体进行气流路径补偿，和/或，所述气体分散腔体用于通过所述分散体结构对进入的气体进行气流路径补偿。/n

【技术特征摘要】
1.一种气流分布装置，其特征在于，包括：气体分散腔体；
所述气体分散腔体具有进气口以及与所述进气口相对设置的孔径结构和/或分散体结构，所述孔径结构为气体分散盘，且所述气体分散盘具有多个第一通孔；
所述气体分散腔体用于通过所述孔径结构中的所述第一通孔对进入的气体进行气流路径补偿，和/或，所述气体分散腔体用于通过所述分散体结构对进入的气体进行气流路径补偿。


2.根据权利要求1所述的气流分布装置，其特征在于，所述孔径结构中的任意两个所述第一通孔之间，靠近所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的孔径小于远离所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的孔径。


3.根据权利要求1所述的气流分布装置，其特征在于，所述多个第一通孔按照同心圆分布为多圈第一通孔，靠近所述气体分散盘中心点的一圈所述第一通孔的分布密度小于远离所述气体分散盘中心点的一圈所述第一通孔的分布密度。


4.根据权利要求1所述的气流分布装置，其特征在于，所述第一通孔为锥形，所述孔径结构中的任意两个所述第一通孔之间，靠近所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的锥度小于远离所述气体分散盘中心点的所述第一通孔的锥度。


5.根据权利要求1所述的气流分布装置，其特征在于，所述分散体结构为分布锥体，所述分散体结构位于所述进气口和所述孔径结构之间，所述进...

【专利技术属性】
技术研发人员：张丽娜，王艳华，梁舰，卢青，祝晓钊，冯敏强，
申请(专利权)人：江苏集萃有机光电技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏;32