【技术实现步骤摘要】
向表面上沉积材料的方法和根据此方法形成的结构
本公开总的涉及向基板的表面上沉积材料的方法、使用该方法形成的结构和用于沉积材料的系统。
技术介绍
由于多种原因，可能需要保形膜沉积。例如，在器件如半导体器件的制造过程中，常希望在形成于基板表面上的特征上方保形地沉积材料。这样的技术可用于浅沟槽隔离、金属间介电层、钝化层等。然而，随着器件的小型化，保形地沉积材料变得越来越困难，特别是在高纵横比特征，如纵横比为三以上的特征上方。可使用原子层沉积(ALD)来向基板的表面上保形地沉积材料。对于一些应用，如当前体和/或反应物不然需要相对较高的温度进行ALD沉积和/或需要保持相对较低的加工温度时，可能需要使用等离子体增强的ALD(PE-ALD)。不幸的是，使用PE-ALD在高纵横比特征上沉积的材料往往表现出差的保形性/差的台阶覆盖率，因为与特征顶部处或顶部附近相比，特征底部(例如，沟槽或过孔)处沉积的材料会较少。沉积材料差的保形性可归因于经活化物种如自由基的损失，这可能因自由基在例如特征的侧壁处的表面再结合而发生。改善...
【技术保护点】
1.一种向基板的表面上沉积材料的方法，所述方法包括步骤：/n在反应室内提供基板；/n使所述基板的表面暴露于前体，其中所述前体与所述表面上的物种反应形成被吸附的物种；/n去除一部分所述被吸附的物种，在所述表面上留下残余物种；以及/n向所述反应室提供反应物，/n其中所述反应物与所述残余物种反应以形成所述材料。/n
【技术特征摘要】
20190510 US 62/846,4241.一种向基板的表面上沉积材料的方法，所述方法包括步骤：
在反应室内提供基板；
使所述基板的表面暴露于前体，其中所述前体与所述表面上的物种反应形成被吸附的物种；
去除一部分所述被吸附的物种，在所述表面上留下残余物种；以及
向所述反应室提供反应物，
其中所述反应物与所述残余物种反应以形成所述材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中去除步骤包括溅射。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述溅射包括使用由惰性气体形成的经活化物种。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述惰性气体选自氩气、氦气、氖气、氪气和氙气中的一种或多种气体。
5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述去除步骤期间形成等离子体。
6.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体使用直接等离子体系统形成。
7.根据权利要求5所述的方法，其中所述等离子体使用远程等离子体系统形成。
8.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括在向所述反应室提供所述反应物的步骤的至少一部分期间形成等离子体。
9.根据权利要求1所述的方法，其中在前体脉冲间隔的至少一部分期间向所述反应室提供所述前体和所述反应物。
10.根据权利要求1所述的方法，其中在将所述基板的表面暴露于前体、去除一部分所述被吸附的物种和向所述反应室提供所述反应物的步骤的过程中，向所述反应室连续地提供吹扫气体。
11.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括从所述反应室吹扫所述前体的步骤，其中吹扫步骤包括向所述反应室提供惰性气体和所述反应物。
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【专利技术属性】
技术研发人员：上田真也，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
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