排气装置及半导体设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种排气装置及半导体设备，该排气装置应用于半导体设备，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中，所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；所述阀门设置于所述排气管道上；所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。应用本实用新型专利技术可以确定排气管道及阀门的堵塞状态，防止工艺腔室压力过大，甚至发生爆炸等，从而保护反应腔室的安全。

【技术实现步骤摘要】
排气装置及半导体设备
本技术涉及半导体
，具体地，涉及一种排气装置及半导体设备。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition，简称CVD)，是把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其他气体引入反应腔室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。CVD设备可以进行外延生长，以硅外延生长为例，其原理是在高温(＞1000℃)的衬底上输送硅的化合物(SiHCl3或SiH2Cl2等)，与氢气(H2)在衬底表面发生还原反应来析出硅，从而实现硅的外延生长。通常CVD设备包括传输系统、反应腔室、进气系统、排气系统及温控系统，各子系统都作用于反应腔室，以形成一个满足工艺要求的反应环境。对于进行常压(或低压)硅外延工艺的CVD设备，工艺时所用的反应气体一般为SiHCl3和H2，由于SiHCl3的性质，反应温度通常设定为＞1100℃。其中，一部分反应气体在衬底表面反应生成硅原子，反应副产物和未反应的SiHCl3气体等气体混合物通过排气系统排放反应腔室。当温度较高的气体混合物经过不锈钢排气管道时，气体混合物的温本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种排气装置，应用于半导体设备，其特征在于，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中：/n所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；/n所述阀门设置于所述排气管道上；/n所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。/n

【技术特征摘要】
1.一种排气装置，应用于半导体设备，其特征在于，包括排气管道、阀门及第一检测组件，其中：
所述排气管道连通所述半导体设备的工艺腔室和尾气处理装置；
所述阀门设置于所述排气管道上；
所述第一检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述阀门与所述尾气处理装置之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。


2.根据权利要求1所述的排气装置，其特征在于，还包括保护管道和控制器；
所述保护管道的一端与所述排气管路位于所述阀门与所述工艺腔室之间的部分连通，所述保护管道的另一端与所述排气管路位于所述阀门与所述尾气处理装置之间的部分连通，所述保护管道上设有通断开关；
所述控制器与所述第一检测组件及所述通断开关连接，用于在所述第一检测组件检测到的所述气体压力值或气体流量值小于等于第一阈值时，控制所述通断开关导通。


3.根据权利要求2所述的排气装置，其特征在于，还包括第二检测组件，所述第二检测组件设置于所述排气管道上，且位于所述工艺腔室与所述阀门之间，用于检测所述排气管道内的气体压力值或气体流量值。


4.根据权利要求1-3任一...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔殿鹏，徐强，张涛，关亚懦，
申请(专利权)人：北京北方华创微电子装备有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11