具有汲取管的化学源容器制造技术

公开了一种化学容器，所述化学容器包括布置在结合到化学容器的壳体中的细长沉孔中的汲取管和液位传感器管。化学容器可以构造成允许进行推回程序，由此化学容器中的液体液位降低到汲取管在汲取管内部或汲取管底部处没有液体的点。一旦汲取管没有液体，则可使用真空源来吹扫化学容器内的蒸气，而没有损坏真空源的风险。

【技术实现步骤摘要】
具有汲取管的化学源容器
本公开大体上涉及一种用于处理半导体晶片的设备。更具体地，本公开涉及一种设备中的容器，用于从液体源提供汽化的气体前体，该液体源用于在例如原子层沉积(ALD)工艺、化学气相沉积(CVD)工艺，或外延沉积工艺中将膜沉积在半导体晶片上。
技术介绍
在膜沉积系统中，气体在半导体晶片上流动，由此气体可与其它气态前体反应以便形成特定膜。气体可以由容器中的蒸发液体产生。容器可以包括再填充管线以确保容器具有提供必需量的气态前体所需的足够量的液体源。容器可以填充有附接到汲取管的入口阀。容器还可以具有出口阀，气体或液体可以通过该出口阀离开容器。这样的容器的实例可能在标题为“用于化学气相沉积的试剂供应容器(ReagentSupplyVesselforChemicalVaporDeposition)”的美国专利号6,077,356中公开，该专利以引用的方式并入本文中。容器可包含汲取管以及液位传感器。图1中示出了本领域已知的化学容器100。化学容器100包括容器壳体110、液位传感器管120、多个液位传感器130A-130D、汲取管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于提供化学前体的化学容器，所述化学前体用于将半导体膜沉积在衬底上，所述化学容器包括：/n容器壳体；/n内置于所述容器壳体的底部中的沉孔；/n从所述容器壳体的顶部基本上延伸到所述沉孔中的液位传感器管，所述液位传感器管包括指示所述容器壳体内的化学前体液位的多个液位传感器；/n从所述容器壳体的顶部基本上延伸到所述沉孔的顶部的汲取管；/n联接到所述汲取管的真空源；以及/n将所述真空源连接到所述汲取管的真空阀；/n其中所述真空源构造成从所述容器壳体移除所述化学前体的蒸气。/n

【技术特征摘要】
20190507 US 62/844,7151.一种用于提供化学前体的化学容器，所述化学前体用于将半导体膜沉积在衬底上，所述化学容器包括：
容器壳体；
内置于所述容器壳体的底部中的沉孔；
从所述容器壳体的顶部基本上延伸到所述沉孔中的液位传感器管，所述液位传感器管包括指示所述容器壳体内的化学前体液位的多个液位传感器；
从所述容器壳体的顶部基本上延伸到所述沉孔的顶部的汲取管；
联接到所述汲取管的真空源；以及
将所述真空源连接到所述汲取管的真空阀；
其中所述真空源构造成从所述容器壳体移除所述化学前体的蒸气。


2.根据权利要求1所述的化学容器，其中所述沉孔成形为矩形、圆形或椭圆形中的至少一者。


3.根据权利要求1所述的化学容器，其中所述多个液位传感器设置在所述液位传感器管上的不同位置...

【专利技术属性】
技术研发人员：AM耶德纳克三世，TR邓恩，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL