本发明专利技术实施例涉及一种集成电路装置及其制造方法。该集成电路装置包括：载板以及至少一个集成电路结构体。每一集成电路结构体藉由一个或多个导电突出部固定于载板上，且包括：集成电路元件、上盖、一个或多个第一空腔以及一个或多个第二空腔。集成电路元件具有第一表面和第二表面，第一表面具有一个或多个第一凹部。上盖设置于第一表面上。一个或多个第一空腔中的每一者由上盖与一个或多个第一凹部界定，而一个或多个第二空腔中的每一者由第二表面、一个或多个导电突出部以及载板界定。与现有技术相比，本发明专利技术通过提供一个或多个第一空腔以及第二空腔，并对其进行密封，有效地保护了集成电路装置，显著提升了集成电路装置的性能。
【技术实现步骤摘要】
集成电路装置及其制造方法
本专利技术实施例大体上涉及半导体
，更具体地，涉及一种集成电路装置及其制造方法。
技术介绍
滤波器在电子信号的处理中起着极其重要的作用，其被广泛应用于射频、微波等通讯领域。随着电子产品小型化的趋势和集成电路技术的发展，滤波器已可以集成电路技术制造。然而，近年来，随着移动通信技术的快速发展，对集成的滤波器的性能和可靠性提出了越来越高的要求。如何以集成电路技术提供一种可满足不断发展的移动通信技术要求的滤波器，是本领域技术人员目前急需解决的问题。因此，有必要对现有的制造滤波器的集成电路技术进行改进。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的之一在于提供一种集成电路装置，其对现有技术集成电路装置的结构设计进行了改进，提升了其性能和可靠性。本专利技术一实施例提供了一种集成电路装置，其包括：载板以及至少一个集成电路结构体；至少一个集成电路结构体藉由一个或多个导电突出部固定于载板上，且至少一个集成电路结构体中的每一者包括：集成电路元件、上盖、一个或多个第一空腔以及一个或多个第二空腔；集成电路元件具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面具有一个或多个第一凹部；上盖设置于第一表面之上；一个或多个第一空腔中的每一者由上盖与一个或多个第一凹部界定；以及一个或多个第二空腔中的每一者由第二表面、一个或多个导电突出部以及载板共同界定。本专利技术一实施例还提供了一种制造集成电路装置的方法，其包括：提供载板以及形成至少一个集成电路结构体；其中，形成至少一个集成电路结构体包括：提供集成电路元件，集成电路元件裸片具有第一表面以及与第一表面相对的第二表面，第一表面具有一个或多个第一凹部；将上盖设置于第一表面之上，从而在上盖与一个或多个第一凹部之间界定出一个或多个第一空腔；以及藉由一个或多个导电突出部将至少一个集成电路结构体固定于载板上，从而由第二表面、一个或多个导电突出部以及载板层共同界定出一个或多个第二空腔。与现有技术相比，本专利技术实施例提供的集成电路装置及其制造方法，通过在集成电路装置中提供一个或多个第一空腔以及一个或多个第二空腔，并对其分别进行密封，有效地保护了集成电路装置，也显著提升了集成电路装置的性能。附图说明图1为根据本专利技术一实施例的集成电路装置的结构示意图图2为根据本专利技术另一实施例的集成电路装置的结构示意图图3为根据本专利技术又一实施例的集成电路装置的结构示意图图4为根据本专利技术又一实施例的集成电路装置的结构示意图图5A-5K为图1所示的集成电路装置的工艺流程图图6A-6F为图3所示的集成电路装置的工艺流程图具体实施方式为更好的理解本专利技术的精神，以下结合本专利技术的部分优选实施例对其作进一步说明。图1为根据本专利技术一实施例的集成电路装置的结构示意图。如图1所示，集成电路装置10包括：载板102以及集成电路结构体100。载板102可以是传统基板或框架。在其他实施例中，载板102也可以是预包封互联系统MIS（MoldedInter-connectSystem）基板或框架。简洁起见，本申请附图，例如图1中，所示的载板102均为传统基板。MIS结构基板可支持单芯片或多芯片封装，然与传统基板不同，MIS结构基板包含一层或多层预包封结构；每一层都通过电镀铜来进行互连，以提供在封装过程中的电性连接。MIS结构基板具有更细的布线能力，可为超薄、高密度细节距封装提供方案，因而可以被用于开发先进的引线框封装、倒装芯片封装、模组封装及系统级封装。此外，MIS结构基板由于其先进的布线能力和可靠性，具有更优的电和热性能，在高、低功率应用上都很适用。集成电路结构体100藉由导电突出部104a和104b固定于载板102上。如图1所示，导电突出部104a和104b为金属球，其通过焊接的方式将集成电路结构体100固定于载板102上。在本专利技术的其他实施例中，导电突出部104a和104b也可为其他任何形式的导电突出结构，只要其能将集成电路结构体100电连接并固定于载板102上即可。另外，导电突出部的数量依据实际需要而定，其数量可为一个或多个。在附图1中，导电突出部的数量为两个。集成电路结构体100可称为微波声波滤波器，其包括：集成电路元件106、上盖108、第一空腔110以及第二空腔112。集成电路元件106具有第一表面114以及与第一表面114相对的第二表面116，且第一表面114具有第一凹部118。上盖108设置于第一表面114之上。上盖108与第一凹部118界定出第一空腔110。如图1所述，第一凹部118为倒梯形结构。然而，在本专利技术的其他实施例中，第一凹部118还可以其他结构形式，只要第一凹部118可以与上盖108界定出第一空腔110即可，在此不对第一凹部118做具体结构限定。第二表面116、导电突出部104a和104b以及载板102共同界定出第二空腔112。本专利技术的上述实施例通过上盖108和集成电路元件106的第一表面114界定出第一空腔110以及由集成电路元件106的第二表面116、导电突出部104a和104b以及载板102共同界定出第二空腔112，不仅提供了具有第一空腔110和第二空腔112的集成电路装置10，同时也对该第一空腔110和第二空腔112进行了保护，显著提升了集成电路装置10的可靠性，也提升了集成电路装置10的性能。在本专利技术一实施例中，上盖108可使用硅化合物、玻璃或硅等材料。其中，硅化合物可为二氧化硅或硅酸盐。在本专利技术一实施例中，上盖108可包括接合层120，接合层120用于将上盖108接合到集成电路元件106的第一表面114。接合层120可使用导电胶或非导电胶材料。接合层120可使得上盖108固定于集成电路元件106的第一表面114之上，起到保护集成电路元件106的作用，也起到了进一步密封第一空腔110的作用。在本专利技术一实施例中，集成电路装置10还可包括：薄膜体122。该薄膜体122设置于上盖108之上。具体的，在附图1所示的实施例中，薄膜体122覆盖了集成电路结构体100以及位于集成电路结构体100下方的导电突出部104a和104b。本专利技术一实施例通过设置薄膜体122，进一步对第一空腔110和第二空腔112进行了密封保护。在本专利技术一实施例中，集成电路装置10还可包括：塑封体124。该塑封体124设置于薄膜体122之上。具体的，在附图1所示的实施例中，塑封体124包覆了薄膜体122，从而使得本专利技术一实施例的第一空腔110和第二空腔112在薄膜体122的密封保护下，又进一步的受到了塑封体124的密封保护，更进一步地提升了集成电路装置10的可靠性和性能。在本专利技术一实施例中，集成电路装置10还可包括：第一叉指换能器结构（InterdigitalTransducer结构）126和第二叉指换能器结构128。第一叉指换能器结构126设置于第一空腔110中，第二叉指换能器结构128设置于第二空腔中。在本专利技术一实施例中，第一叉指换能器结构126设置于第一凹部118的表面，而本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种集成电路装置，其包括：/n载板；以及/n至少一个集成电路结构体，所述至少一个集成电路结构体藉由一个或多个导电突出部固定于所述载板上，且所述至少一个集成电路结构体中的每一者包括：/n集成电路元件，所述集成电路元件具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有一个或多个第一凹部；/n上盖，其设置于所述第一表面之上；/n一个或多个第一空腔，所述一个或多个第一空腔中的每一者由所述上盖与所述一个或多个第一凹部界定；以及/n一个或多个第二空腔，所述一个或多个第二空腔中的每一者由所述第二表面、所述一个或多个导电突出部以及所述载板共同界定。/n
【技术特征摘要】
1.一种集成电路装置，其包括：
载板；以及
至少一个集成电路结构体，所述至少一个集成电路结构体藉由一个或多个导电突出部固定于所述载板上，且所述至少一个集成电路结构体中的每一者包括：
集成电路元件，所述集成电路元件具有第一表面以及与所述第一表面相对的第二表面，所述第一表面具有一个或多个第一凹部；
上盖，其设置于所述第一表面之上；
一个或多个第一空腔，所述一个或多个第一空腔中的每一者由所述上盖与所述一个或多个第一凹部界定；以及
一个或多个第二空腔，所述一个或多个第二空腔中的每一者由所述第二表面、所述一个或多个导电突出部以及所述载板共同界定。
2.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：所述上盖包括经配置以将所述上盖接合到所述第一表面的接合层。
3.根据权利要求2所述的集成电路装置，其中：所述接合层的材料为导电胶或非导电胶。
4.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：所述上盖的材料为以下群组中的一者：硅化合物、玻璃或硅。
5.根据权利要求4所述的集成电路装置，其中：所述硅化合物包括：二氧化硅或硅酸盐。
6.根据权利要求1所述的集成电路装置，其进一步包括：薄膜体，其设置于所述上盖之上。
7.根据权利要求6所述的集成电路装置，其进一步包括：塑封体，其设置于所述薄膜体之上。
8.根据权利要求6所述的集成电路装置，其中：所述至少一个集成电路结构体为相互间隔开的多个集成电路结构体，所述薄膜体覆盖所述至少一个集成电路结构体。
9.根据权利要求7所述的集成电路装置，其中：所述至少一个集成电路结构体为相互间隔开的多个集成电路结构体，所述薄膜体以及所述塑封体覆盖所述至少一个集成电路结构体。
10.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：所述一个或多个第一空腔的至少一者中设置有第一叉指换能器结构。
11.根据权利要求10所述的集成电路装置，其中：所述一个或多个第二空腔的至少一者中设置有第二叉指换能器结构。
12.根据权利要求11所述的集成电路装置，其中：所述第二表面具有一个或多个第二凹部，所述第二叉指换能器结构位于所述一个或多个第二凹部与所述导电突出部以及所述载板共同界定的所述一个或多个第二空腔。
13.根据权利要求1所述的集成电路装置，其中：所述载板为基板或框...
【专利技术属性】
技术研发人员：郭桂冠，王政尧，李维钧，赵冬冬，
申请(专利权)人：苏州日月新半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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