一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，包括以下步骤：S1、将高纯锆英砂和结晶熔块干粒进行混合，得到釉料A；S2、以大理石抛釉或透明干粒釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料；S3、瓷质砖生坯的制备，烘干；S4、在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉和混合釉料；S5、将S4布施保护釉和混合釉料后的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150‑200℃下烘干，使用常规的瓷质砖烧成方法，制得半成品瓷质砖；S6、对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理。本发明专利技术制备方法采用釉料中晶体的多重反射、色散、折射法来实现闪光效果，满足市场需求。

A preparation method of polished porcelain glazed tile with flash effect

【技术实现步骤摘要】
一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法
本专利技术涉及瓷质釉面砖制备
，特别涉及一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法。
技术介绍
高温（≥1180℃）瓷质砖的砖面在灯光下闪光的常见工艺有星光干粒（星光釉）、闪光云母片、钻石干粒、金属干粒以及晶砂干粒。将材料喷洒在砖面上经高温烧成，通过材料本身对光线强反射的物理特性与无反射或弱反射的基础釉面（晶砂干粒可用于≦85°的全抛产品），形成光线的镜面反射差来达到闪光效果，增强产品装饰性。现有瓷质砖釉面闪光工艺较多，但大多为釉上工艺（星光釉、云母片、钻石干粒），因无法进行全抛光加工，所以不适用于全抛光类产品上。也有部分釉中闪光工艺如（铬析晶）和利用耐高温合金金属颗粒（镍基合金）混合在釉中达到闪光效果，但这类闪光效果用的材料本身具有颜色会影响到产品表面的图案效果，因此使用范围有较大的局限性。
技术实现思路
本专利技术目的在于提供一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，以解决现有技术中所存在的一个或多个技术问题，至少提供一种有益的选择或创造条件。为解决上述技术问题所采用的技术方案：一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将高纯锆英砂和结晶熔块干粒进行混合，得到釉料A；S2、以大理石抛釉或透明干粒釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料；S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干，备用；S4、在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉和混合釉料；S5、将S4布施保护釉和混合釉料后的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，烧成温度为1150-1200℃，烧成周期为40-80min，制得半成品瓷质砖；S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，磨边后检验入库。作为上述技术方案的进一步改进，所述S1中高纯锆英砂为将原矿材料水洗分选，然后在无尘隔离环境下进行电选和高强磁选，得到80目-150目的高纯锆砂，其主要成分的质量百分比为ZrO2≧66.5%、Fe2O3≦0.03%、TiO2≦0.03%。作为上述技术方案的进一步改进，所述S1中结晶熔块干粒为按质量百分比，将石英51%、方解石27%、氧化铝6%、纯碱6%、氧化锌4%、碳酸钡3%、硼酸3%混合均匀，经熔块窑1520°高温烧制成钙基析晶熔块，再经破碎加工成80目-200目的砂状干粒。作为上述技术方案的进一步改进，所述S2具体方法为以大理石抛釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料，所述大理石抛釉由以下主要成分：钾钠长石、方解石、石英、硅灰石、高岭土和氧化铝经过混合、球磨制备而成。作为上述技术方案的进一步改进，所述S2具体方法为以透明干粒釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料，所述透明干粒釉由以下主要成分：钾钠长石、方解石、石英、氧化锌、纯碱和氧化铝经过煅烧成透明熔块，然后经破碎加工制备而成的砂状干粒。作为上述技术方案的进一步改进，所述S4具体方法为在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉和混合釉料；所述布施混合釉料的方法为将釉料A和釉料B按照质量比为1:4混合而成，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施釉量为600-1000克/平方米。作为上述技术方案的进一步改进，所述S4具体方法为在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉、混合釉料和釉料B，所述布施混合釉料和釉料B的方法为将釉料A和釉料B按照质量比为1:3混合而成，再加入水、悬浮剂和助熔剂充分混合，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施釉量为300-500克/平方米，待釉面干后再用淋釉或喷釉法布施釉料B，施釉量为300-500克/平方米。作为上述技术方案的进一步改进，所述S4具体方法为在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉、混合釉料和耐高温有机硅胶水，所述混合釉料由所述釉料A和釉料B中的透明干粒按照质量比为1:4混合而成的干料，所述混合釉料的施釉量为600-700克/平方米。作为上述技术方案的进一步改进，所述悬浮剂包括高岭土、膨润土、羧甲基纤维素中的一种或几种。作为上述技术方案的进一步改进，所述助熔剂包括氧化镁、硅灰石、方解石中的一种或几种。与现有技术相比，本专利技术的有益效果如下：（1）本专利技术采用釉料中晶体的多重反射、色散、折射法来实现闪光效果，而且只需按常规全抛釉产品的抛光工艺进行抛光，进行抛光处理后，相对于晶砂干粒能达到更好的闪光效果，并简化了抛光工序，无需使用闪抛模块。（2）本专利技术结晶干粒烧成范围广（1170°-1230°），覆盖绝大部分低吸水率建筑陶瓷的烧成范围；结晶条件宽松，经辊道窑50-90分钟正常烧成，无需刻意为了析晶而保温，不会影响窑炉产能；析出的晶体为无色透明晶体，适用于大部分陶瓷花色使用，且晶体粒径在1mm左右，与自然石材的天然晶体效果接近，在正常射灯光照下，1.5米外也可见明显的闪光点。（3）本专利技术可通过多种施釉方法来实现不同产品的不同釉面闪光效果，满足市场需求。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术做进一步的说明。图1是本专利技术制备的瓷质釉面砖的闪光效果原理图。具体实施方式下面进一步列举实施例以详细说明本专利技术。同样应理解，以下实施例只用于对本专利技术进行进一步说明，不能理解为对本专利技术保护范围的限制，本领域技术人员根据本专利技术阐述的原理做出的一些非本质的改进和调整均属于本专利技术的保护范围。下述示例具体的工艺参数等也仅是合适范围中的一个示例，即本领域技术人员可以通过本文的说明做合适范围内的选择，而并非要限定于下文示例的具体数据。实施例1一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，包括以下步骤：S1、将高纯锆英砂和结晶熔块干粒进行混合，得到釉料A；S2、以大理石抛釉作为釉料B，将釉料A和釉料B按照质量比为1:4混合得到混合釉料；S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于200℃下烘干，备用；S4、在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，再布施保护釉，然后将混合釉料加入水、羧甲基纤维素和硅灰石充分混合，通过淋釉或喷釉的施釉方式施布釉料，施釉量为800克/平方米；S5、将S4布施保护釉和混合釉料后的瓷质砖生坯置于干燥窑中于180℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，烧成温度为1180℃，烧成周期为50min，制得半成品瓷质砖；S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，磨边后检验入库。所述S1中高纯锆英砂为将原矿材料水洗分选，然后在无尘隔离环境下进行电选和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/nS1、将高纯锆英砂和结晶熔块干粒进行混合，得到釉料A；/nS2、以大理石抛釉或透明干粒釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料；/nS3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干，备用；/nS4、在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉和混合釉料；/nS5、将S4布施保护釉和混合釉料后的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，烧成温度为1150-1200℃，烧成周期为40-80min，制得半成品瓷质砖；/nS6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，磨边后检验入库。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S1、将高纯锆英砂和结晶熔块干粒进行混合，得到釉料A；
S2、以大理石抛釉或透明干粒釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料；
S3、将瓷质砖粉料均匀铺布在压砖机模腔中并将瓷质砖粉料压制成瓷质砖生坯，然后将瓷质砖生坯在干燥窑中于180-220℃下烘干，备用；
S4、在S3烘干后的瓷质砖生坯上施加面釉后进行喷墨印刷，然后再依次布施保护釉和混合釉料；
S5、将S4布施保护釉和混合釉料后的瓷质砖生坯置于干燥窑中于150-200℃下烘干，接着在辊道窑中使用常规的瓷质砖烧成方法，烧成温度为1150-1200℃，烧成周期为40-80min，制得半成品瓷质砖；
S6、用金刚砂磨块对S5制得的半成品瓷质砖进行抛光处理，磨边后检验入库。


2.根据权利要求1所述的具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，所述S1中高纯锆英砂为将原矿材料水洗分选，然后在无尘隔离环境下进行电选和高强磁选，得到80目-150目的高纯锆砂，其主要成分的质量百分比为ZrO2≧66.5%、Fe2O3≦0.03%、TiO2≦0.03%。


3.根据权利要求1所述的具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，所述S1中结晶熔块干粒为按质量百分比，将石英51%、方解石27%、氧化铝6%、纯碱6%、氧化锌4%、碳酸钡3%、硼酸3%混合均匀，经熔块窑1520°高温烧制成钙基析晶熔块，再经破碎加工成80目-200目的砂状干粒。


4.根据权利要求1所述的具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的制备方法，其特征在于，所述S2具体方法为以大理石抛釉作为釉料B，将釉料A和釉料B混合得到混合釉料，所述大理石抛釉由以下主要成分：钾钠长石、方解石、石英、硅灰石、高岭土和氧化铝经过混合、球磨制备而成。


5.根据权利要求1所述的具有闪光效果的抛光瓷质釉面砖的...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯琪琦，欧劲野，李清平，
申请(专利权)人：佛山市蓝瓷创陶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44