磁场检测器以及使用该磁场检测器的检测器件制造技术

一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件。参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括反铁磁层、磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的固定层、非磁性层、以及磁化方向适合于由外磁场改变的铁磁材料的自由层。参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此平行或反平行，磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下固定层的磁化方向与自由层的磁化方向彼此不同。从而，可提供一种无论何时需要都能够独自校准检测器的灵敏性和分辨率的磁场检测器。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及用于由巨磁电阻效应或隧道磁电阻效应检测磁场的磁场检测器，和使用磁场检测器的电流检测器件、位置检测器件与旋转检测器件。
技术介绍
磁电阻(MR)效应是一种电阻随向铁磁材料施加的磁场而改变的现象，并且用于磁场检测器和磁头。近年来，人工晶格膜，如Fe/Cr、Co/Cu已经作为表现出非常大的磁电阻效应的巨磁电阻(GMR)效应材料广为人知了。而且，人们也知道了一种称为自旋阀膜的膜，该膜具有包括铁磁层、非磁性层、铁磁层以及反铁磁层的结构，其中非磁性金属层具有基本上消除铁磁层之间切换的连接功能的厚度，与反铁磁层相邻的铁磁层的磁矩被特定铁磁层与反铁磁层之间的切换的连接固定为所谓的固定层，而仅另一铁磁层的自旋构成容易被外磁场反向的自由层。反铁磁材料由FeMn、IrMn、PtMn等形成。在这种情况下，两个铁磁层之间的切换的连接很弱，以致于在微弱的小磁场下可将自旋反转。从而可提供高灵敏性的磁电阻元件，将其用作高密度磁记录和读出头。上述自旋阀膜通过在膜表面内提供电流来使用。另一方面，已知可利用向与膜表面垂直的方向上提供电流的垂直磁电阻效应来产生更大的磁电阻效应。另外，已知由于铁磁隧道耦合引本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁场检测器，具有参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件，参考磁电阻元件和磁场检测磁电阻元件每一个都具有叠层结构，该叠层结构包括：反铁磁层；磁化方向由反铁磁层固定的铁磁材料的第一层；非磁性层；以及磁化方向适合于 由外磁场改变的铁磁材料的第二层，其特征在于：参考磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下第一层的磁化方向与第二层的磁化方向彼此平行或反平行，以及磁场检测磁电阻元件使得在不存在磁场的情况下第一层的磁化方向与第二层的磁化方向彼 此不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：长永隆志，小林浩，黑岩丈晴，拜山沙德克，古川泰助，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]