包含磁阻系统的装置制造方法及图纸

装置（１），包括用来检测进来的磁场的磁阻系统（２）并包括第一／第二分支，所述第一分支／第二分支具有第一／第二磁阻组件（２１－２２），所述第一／第二组件具有依赖于根据第一／第二响应曲线的进来的磁场的第一／第二电阻值，为所述装置（１）提供移动装置用于将第／第二分支的第一／第二响应曲线移动到第一／第二方向以得到合适的线性性能。移动装置包括第一／第二分支的第一／第二结构，所述第一／第二结构产生所述第一／第二分支处的第一／第二本地场，从而第一／第二分支的第一／第二响应曲线移动至第一／第二方向。所述第一／第二分支进一步包括第一／第二磁阻组件（２６ｂ、２６ｃ、２７ｂ、２７ｃ），其与第一／第二磁阻组件耦合，使流经这些第一／第二磁阻组件（２６ａ－２６ｃ、２７ａ－２７ｃ）的第一／第二电流在第一／第二分支处产生所述第一／第二本地场。第一／第二结构包括第一／第二弯曲结构（３６、３７），其中第一／第二部分（３６ａ－３６ｃ、３７ａ－３７ｃ）包括不同的第一尺寸，例如交替变化的第一／第二宽度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包含磁阻系统的装置本专利技术涉及包含磁阻系统的装置，用于检测进来的磁场，同时涉 及磁阻系统、移动装置、以及通过磁阻系统检测进来的磁场的方法。这样装置的例子有车辆、轮船、飞机和消费品。这样装置的其他 例子有汽车产品、旋转速度传感器、角度传感器和操纵杆。这样的磁 阻系统的例子有包括磁阻组件的系统，例如巨型磁阻组件和各向异性 磁阻组件。US6，580，587B1中的现有技术装置，公开了包括巨型磁阻组件的 磁阻系统。如在US6，580,587B1的第7列第48-66行公开的，为了将 包括四个巨型磁阻组件的电桥用作传感器，第一组件和第四组件的阻 抗值的变化应该不同于第二组件和第三组件的阻抗值的变化。这通过 屏蔽一组组件或通过偏置一组组件以改变该组组件的转换曲线或通 过构造不同于其他组组件的一组组件来实现。另外，由于该设备的磁阻系统具有特定的无法改变的线性，该已 知设备是有缺陷的。US6,580，587B1的图4A和4B示出这一点。除了其他目的之外，本专利技术的一个目的是提供包括具有可调节线 性的磁阻系统的装置。本专利技术的其他目的是提供具有可调节线性的磁阻系统、提供在具 有可调节线性的磁阻系统中使用的移动装置、以及提供通过具有可调 节线性的磁阻系统检测进来的磁场的方法。根据本专利技术的装置包括用来检测进来的磁场的磁阻系统，该磁阻 系统包括第一分支和第二分支，第一分支包括至少一个第一磁阻组 件，该组件具有依赖于根据第一响应曲线的进来的磁场的第一阻抗 值，第二分支包括至少一个第二磁阻组件，该组件具有依赖于根据第 二响应曲线的进来的磁场的第二阻抗值，该装置进一步包括用来将第一分支的第一响应曲线移动到第一方向和将第二分支的第二响应曲 线移动到第二方向的移动装置，该第一方向和第二方向彼此不同。通过引入移动装置将第一分支的第一响应曲线移动到第一方向 和将第二分支的第二响应曲线移动到第二方向，磁阻系统将根据响应曲线的移动显示出线性或非线性。这有很大优势，使磁阻系统的线性 增加(例如为了测量的目的)或减少(例如为了生成声音的目的)。另外，由于基于该原理的传感器将是可调节的，该专利技术也很有优势。例如这样的移动装置在每个分支包括一磁铁。由于磁铁不能无限 小并且磁铁的磁场不仅到达目标分支，也将到达非目标分支，磁体形 式的移动装置将使得磁阻系统需要相对大。而下面的具体实施例能使 磁阻系统相对较小。根据本专利技术的装置的具体实施例由移动装置定义，该移动装置包 括第一分支的第一结构和第二分支的第二结构，第一结构引起第一分 支处的第一本地场并且第二结构引起第二分支处的第二本地场。换句 话说，根据本具体实施例，通过特定结构的分支实现该移动装置，流 经该结构的偏置电流将引入本地场。再换句话说，分支结构以及经由 这些结构的偏置电流定义了该移动装置。第一结构在第一分支处引起 第一本地场(例如在第一磁阻组件)，从而第一分支的第一响应曲线 被移到第一方向，并且第二结构在第二分支处引起第二本地场(例如 在第二磁阻组件)，从而第二分支的第二响应曲线被移到第二方向。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义第一分支包括与第一 磁阻组件耦合的至少另一第一磁阻组件，从而流经这些第一磁阻组件 的第一电流在第一分支处引起第一本地场，并且由第二分支包括与第 二磁阻组件耦合的至少另一第二磁阻组件，从而流经这些第二磁阻组 件的第二电流在第二分支处引起第二本地场。给每个分支自己的结构 的一个方法是每一分支使用相互耦合的两个或更多磁阻组件。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义，磁阻组件包括第一磁 阻带，第一导电层经由第一隔离层耦合至第一磁带，第一导电层在耦 合的第一磁阻组件间传导第一电流(第一电流回路)，并且第二磁阻组件包括第二磁阻带，第二导电层经由第二隔离层耦合至第二磁阻 带，第二导电层在耦合的第二磁阻组件间传导第二电流(第二电流回 路)。这样，每个分支包括两个或更多相互耦合的磁阻组件，经由这 两个或更多磁阻组件交换的电流将增强本地场。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义，第一结构包括第一弯 曲结构，其中至少两个第一部分包括不同的第一尺寸，并且第二结构 包括第二弯曲结构，其中至少两个第二部分包括不同的第二尺寸。给 每个分支其自己的结构的另一方法是对不同分支使用不同弯曲结构。 例如，部分对应于磁阻带。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义第一部分包括交替改 变的第一宽度，并且第二部分包括交替改变的第二宽度。这样，每个 支路耦合两个或更多磁阻组件不会浪费面积，以及不需要额外印制。 例如，部分对应于磁阻带。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义，移动装置包括用来在 产生第一电流的第一分支处发生第一信号的第一发生器，并且包括在 产生第二电流的第二分支处发生第二信号的第二发生器，第一电流在 第一分支处产生第一本地场并且第二电流在第二分支处产生第二本 地场。换句话说，根据该具体实施例，通过引入第一和第二发生器实 现移动装置，第一和第二信号不同于磁阻组件偏置信号。而换句话， 第一和第二发生器定义与磁阻组件偏置独立的移动装置。第一和第二 发生器可以，单个或一起，包括一个或更多用于产生电流的电流源或 一个或更多用来产生电压的电压源，其电压将转换为电流。电流可以 经由位于分支附近的组件或导体流动。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义，磁阻系统进一步包括 第三分支和第四分支，第三分支包括至少一个第三磁阻组件，该组件 具有依赖于根据第三响应曲线的进来的磁场的第三阻抗值，第四分支 包括至少一个第四磁阻组件，该组件具有依赖于根据第四响应曲线的 进来的磁场的第四阻抗值，该装置进一步包括用来将第三分支的第三 响应曲线移动到第二方向和将第四分支的第四响应曲线移动到第一 方向的移动装置。包括四个分支的这样的磁阻系统形成惠斯通电桥。第三和第四分支可以分别对应于第二和第一分支。根据本专利技术的装置的具体实施例如下定义，磁阻组件包括巨型磁阻组件或包括带有斜条(barberpole)的各向异性磁阻组件。也不排 除其他类型的组件。根据本专利技术的磁阻系统和根据本专利技术的移动装置以及根据本发 明的方法的具体实施例与根据本专利技术的装置的具体实施例一致。另外，本专利技术基于磁阻系统的线性或非线性由磁阻组件的响应曲 线定义的概念，另外，基于第一分支的第一响应曲线移动到第一方向 以及第二分支的第二响应曲线移动到不同的第二方向以适应磁阻系 统的线性的基本思想。除其他问题以外，本专利技术解决的问题是提供包括具有可调线性或 可调非线性的磁阻系统的装置，并且另外由于基于该原理的传感器将 示出可调节性能，所以是有益的。本专利技术的这些和其他方面将由于针对下面介绍的具体实施例的 介绍而清楚。图中附图说明图1简要示出根据本专利技术的装置，其包括根据本专利技术的磁阻系统。图2示出现有技术磁阻组件的现有技术响应曲线。 图3示出具有现有技术磁阻系统的现有技术弯曲结构的现有技 术分支。图4示出根据本专利技术的磁阻系统，该系统的形式是包括四个分支 的惠斯通电桥，每个分支带有三个串联磁阻组件。图5示出两个分支，每个分支包括磁阻带，导电层经由隔离层连 接到磁阻带。图6示出两个分支，每个分支具有根据本专利技术的弯曲结构。 图7示出根据本专利技术的惠斯通电桥形式的磁阻组件和磁阻系统 的响应曲线，图8示出根据本专利技术的惠斯本文档来自技高网...

【技术保护点】
装置（１），包括用来检测进入的磁场的磁阻系统（２），所述磁阻系统（２）包括第一分支和第二分支，所述第一分支包括至少一个第一磁阻组件（２１），该组件具有依赖于根据第一响应曲线的进入的磁场的第一阻抗值，所述第二分支包括至少一个第二磁阻组件（２２），该组件具有依赖于根据第二响应曲线的进入的磁场的第二阻抗值，所述装置（１）进一步包括用来将所述第一分支的第一响应曲线移动到第一方向并将所述第二分支的第二响应曲线移动到第二方向的移动装置，所述第一方向和第二方向彼此不同。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：H范佐恩，BM德布尔，
申请(专利权)人：皇家飞利浦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]