磁传感器及补偿磁传感器的温度相关特性的方法技术

磁传感器（１０）包括ＧＭＲ元件（１１－１８），以及用作发热元件的加热线圈（２１－２４）。元件（１１－１４）和（１５－１８）通过桥连接构成Ｘ轴传感器和Ｙ轴传感器。加热线圈（２１）设置于元件（１１，１２）附近，并且加热线圈（２２）设置于元件（１３，１４）附近，并且加热线圈（２３）设置于元件（１５，１６）附近，并且加热线圈（２４）设置于元件（１７，１８）附近。加热线圈（２１－２４）通电时主要加热其邻近元件。因此，可以在地磁可确保不变的很短时间内对这些元件进行加热和冷却。基于在加热之前和之后的这些元件的温度以及各自磁传感器的输出，得到温度相关特性补偿数据（传感器输出值改变量对元件温度改变量的比值）并根据该数据对这些元件的温度特性进行补偿。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种应用磁阻元件的磁传感器。
技术介绍
迄今为止已知这样一种-兹传感器，其应用诸如铁》兹》兹阻元件(MR元件， ferromagnetic magnetoresistive element )、 巨-兹.|1且元/[牛(GMR元4牛,giant magnetoresistive element )或P逸道磁阻元件(TMR元件,tunnel magnetoresistive element)之类的磁阻元件作为磁场检测元件，并且该磁传感器根据磁阻元件 的电阻值，而产生取决于作用在磁阻元件上的外部磁场的输出值。磁阻元件的电阻值取决于温度。因此，即使在固定磁场强度的磁场作用 下，磁传感器输出值也会因磁阻元件的温度改变而变化。所以，为了高精度 地检测f兹场(的幅度)，就必定需要对这种温度相关性(temperature dependence) 进行补偿。在日本专利申请公开(fob/)第H06-77558号中披露的磁传感器装置是 借助于在^f兹阻元件邻近处设置的温度传感器来实现这种补偿的。预先测量作 为磁传感器输出值的电压和温度之间的关系(温度相关特性)并且存储到存 储器中。然后本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁传感器，其包括单个衬底和多个元件组，每一个元件组都包括被钉扎层磁化方向相同的一对磁阻元件，所述两元件组的至少两组就所述被钉扎层的磁化方向而言彼此垂直，其中　　　　所述多个元件组的每组以这样一种方式设置于所述衬底上，即，使得每一元件组的所述被钉扎层的磁化方向基本上都平行于距所述衬底的形心的距离增大的方向，并且使得所述磁阻元件对彼此邻近设置。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤秀树，
申请(专利权)人：雅马哈株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]