用于磁场探测的纳米结构磁阻网络和相应的方法技术

在此描述了一种对包含多个磁阻元件（１０；２０；３０）的类型的磁场（Ｈ↓［ｅｘｔ］，Ｈ↓［ｐ］）进行响应的磁阻网络。按照本发明专利技术，一个或多个磁阻元件（１０；２０；３０）包含至少一个纳米压缩（１０；２０；３０）形式的磁阻元件，所述纳米压缩（１０；２０；３０）包含由磁性材料制成的至少两个垫片（１２，１３；２２，２３），与所述磁性材料相关联的至少两个垫片（１２，１３；２２，２３）在基本上彼此相反的方向上分别被定向磁化（１６，１７；Ｍ１，Ｍ２）并且通过纳米通道（１１；２１）被连接，所述纳米通道（１１；２１）能够设立畴壁（１５；２５），所述畴壁（１５；２５）确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁（１５；２５）相对于所述纳米通道（１１；２１）的位置的函数的所述纳米压缩（１０；２０；３０）的电阻（Ｒ）。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及对包含多个纳米尺度的磁阻元件的类型的磁场进行响应的磁阻网络。
技术介绍
为了增加测磁仪的敏感度而利用按照不同方案连接的多个磁阻元件(如串联或并联)的测磁设备是已知的。例如，根据文件No.US5552706，磁阻类型的磁场传感器是已知的，其配有更长的活性区域并且在没有任何增加电压或电流密度需要的情况下获得了适当功率的换能信号。这一点可通过将传感器分成许多并联的多重子元件来获得。换能信号由通过各磁阻子元件的磁场所感应的电压变化之和产生。然而，就子传感器所呈现的彼此类似的特征而言，所述解决方案呈现出远离灵活和适合于不同磁场状态的缺点。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种能够提供基于多个磁阻元件的磁阻网络的解决方案，所述磁阻网络呈现出通过调节一个或多个所述磁阻元件的参数可以很容易适应的探测特征。按照本专利技术，由于用于探测磁场的磁阻网络和相应的方法而达到所述目的，所述磁场具有在随后的权利要求中的特定的特征。附图说明现在将参考纯粹通过非限制性实例而提供的附图对本专利技术进行描述，其中-图1a、1b、1c表示磁阻元件的第一实施例的工作示意图，所述磁阻元件被设计成可在按照本专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种对包含多个磁阻元件（１０；２０；３０）的类型的磁场（Ｈ↓［ｅｘｔ］，Ｈ↓［ｐ］）进行响应的磁阻网络，其特征在于，所述一个或多个磁阻元件（１０；２０；３０）包含至少一个纳米压缩（１０；２０；３０）形式的磁阻元件，所述纳米压缩（１０；２０；３０）包含由磁性材料制成的至少两个垫片（１２，１３；２２，２３），与之相关的是在基本上彼此相反的方向上定向的并通过纳米通道（１１；２１）连接的相应的磁化（１６，１７；Ｍ１，Ｍ２），所述纳米通道（１１；２１）能够设立畴壁（１５；２５），所述畴壁（１５；２５）确定作为在所述传感器装置中形成的所述畴壁（１５；２５）相对于所述纳米通道（１１；２１）的位置的函数的所述...

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：D普利尼，A罗托洛，
申请(专利权)人：CRF阿西安尼顾问公司，
类型：发明
国别省市：IT[意大利]