【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体集成电路的测试方法,特别是涉及一种。
技术介绍
Flash(闪存)的控制信号有片选(CS),读有效(OE),写有效(WE),地址线(ADDRESS),数据线(DATA),测试模式(TMEN)等。在测试时必须将这些PIN(管脚)按照一定的时序,置于所需的电平,来完成对Flash的各种操作,所以在通常的设计中必须将这些PIN完全的和测试仪的通道相连,那样芯片就会需要很多PAD(芯片引脚)。串口设计能极大的减少Embedded NVM(嵌入式非挥发性存储器)的PAD数目,提高单枚硅片良品的产出。但在测试时又要能完全的达到原有的测试目的,对整个芯片的控制信号要求就比较高。在串口电路设计中,芯片所要求的控制信号通过单个I/O通道,在系统时钟的配合下,锁存在一个寄存器中。然后通过外部的触发信号,将寄存器中的设定转换成设定的电平,置于Embedded NVM的各个管脚上。在对于基于串口电路设计的芯片的测试过程中发现,由于需要保证芯片的品质,需要大量反复的对整个芯片实行按字节进行的写操作,这样就在整个测试过程中占据了相当大部分的测试时间;如果既能减少写操作的次数,又能达到测试的目的,那么这部分测试时间就能极大的压缩。其中在位数可选×8和×16(或×32)的EFlash IP(嵌入式闪存核)中就有选择位数的位选信号。例如在通常的设计中如果这块IP(核)应用于16位的系统,位选信号就恒置高;应用于8位系统,位选信号就恒置低。那么在对于应用于8位系统的IP,就只能按照8位为一个单位来进行全片写操作,显然比按16位操作多花了一倍的时间。
技术实现思路
本专 ...
【技术保护点】
一种基于位数可选的EFlash串口测试方法,其特征在于:位选信号由串口测试电路输入给内置式存储单元,位选信号的电平由串口测试电路发出的串口命令控制,在进行全片写操作时采用×16位的方式。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:陈凯华,
申请(专利权)人:上海华虹NEC电子有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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