一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法，包括集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲区，所述p型缓冲区的上方设置有n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的上方设置有n基极，所述n基极的内部设置有p型块，所述n基极的内部上方一侧设置有p+基极，所述p+基极的内部设置有n发射极，所述n基极的顶部由内至外依次设置有门极和发射极，本发明专利技术通过在n基极内设置p型块，p型块起到阻挡空穴的作用，增强了电导调制效应，降低导通电阻及正向压降，降低功耗，同时设置n+型缓冲区降低了快恢复二极管芯片的电子漂移区域，实现了更快的反向恢复实际并降低Qrr。

【技术实现步骤摘要】
一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法
本专利技术涉及半导体功率器件
，具体涉及一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法。
技术介绍
快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压(耐压值)较高，目前快恢复二极管结构的优化也主要围绕着降低功耗和减小电子漂移区域两个方面，实现了更快的反向恢复实际并降低Qrr，针对这些问题，目前已经提出了如掺杂，减小反向恢复电荷等方法。但掺杂会破坏电荷平衡，辐照对器件使用寿命有较大的影响。本专利技术实施例提供了一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法，通过设置n+型缓冲区和在n基极内增加p型块，降低导通电阻及正向压降，降低功耗，同时能有效的降低快恢复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超薄场截止快速恢复二极管芯片，其特征在于，包括：集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲区，所述p型缓冲区的上方设置有n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的上方设置有n基极，所述n基极的内部设置有p型块，所述n基极的内部上方一侧设置有p+基极，所述p+基极的内部设置有n发射极，所述n基极的顶部由内至外依次设置有门极和发射极。/n

【技术特征摘要】
1.一种超薄场截止快速恢复二极管芯片，其特征在于，包括：集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲区，所述p型缓冲区的上方设置有n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的上方设置有n基极，所述n基极的内部设置有p型块，所述n基极的内部上方一侧设置有p+基极，所述p+基极的内部设置有n发射极，所述n基极的顶部由内至外依次设置有门极和发射极。


2.根据权利要求1所述的一种超薄场截止快速恢复二极管芯片，其特征在于：所述p型块的数量为多个且均匀分布于所述n基极的内部。


3.一种超薄场截止快速恢复二极管芯片制备方法，应用于如权利要求1-2任一项所述的一种超薄场截止快速恢复二极管芯片，其特征在于，包括以下步骤：
S1，预处理，选择衬底材料，对衬底材料的表面进行化学清洗；
S2，外延处理，在衬底...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新强，潘庆波，王丕龙，
申请(专利权)人：青岛佳恩半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37