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本发明提供了一种超薄场截止快速恢复二极管芯片及制备方法，包括集电极，所述集电极的上方设置有p型缓冲区，所述p型缓冲区的上方设置有n+型缓冲区，所述n+型缓冲区的上方设置有n基极，所述n基极的内部设置有p型块，所述n基极的内部上方一侧设置有p...
该专利属于青岛佳恩半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛佳恩半导体有限公司授权不得商用。

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