一种快恢复二极管器件结构制造技术

一种快恢复二极管器件结构，主要包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N‑外延层，N‑外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N‑外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及氧化硅层的高度，氧化硅层及其中一侧正面金属层的顶部设置有钝化层，所述N+衬底层的底部设置有背面金属层，所述制作方法主要包括定义有源区，生长场区氧化层；刻蚀硅表面氧化层后淀积半绝缘多晶硅（SIPOS）和氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层，溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积聚酰亚胺做钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后分别进行少子寿命控制工艺形成具有快速恢复特性的二极管。

【技术实现步骤摘要】
一种快恢复二极管器件结构
本技术属于半导体器件制造
，具体涉及一种快恢复二极管器件结构。
技术介绍
现代电力电子电路中的主回路不论是采用换流关断的晶闸管，还是采用有自关断能力的新型电力电子器件，如GTO，MOSFET，IGBT等，都需要一个与之并联的功率快恢复二极管，以通过负载中的无功电流，减小主开关器件电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向时由寄生电感感应产生的高电压。作为新型电力半导体器件的主要代表，IGBT模块被广泛用于工业、信息、新能源、医学、交通、军事和航空领域。目前，市场上的IGBT模块的耐压高达6500V,单管芯电流高达200A,频率达到300KHz。在高频大功率领域，目前还没有任何一个其它器件可以代替它。快恢复二极管是IGBT模块中不可缺少的芯片，需要同时优化IGBT芯片以及快恢复二极管的特性来提高IGBT模块的性能。随着半导体材料和加工工艺的不断进步，多种加工工艺采用在生产优质的快恢复二极管。在大功率IGBT模块中为了达到大电流能力需要并联多个IGBT和FRD，为了确保安全工作FRD要具有正温度特性；并且为了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种快恢复二极管器件结构，主要包括N型外延衬底，其特征在于：所述N型外延衬底包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N-外延层，所述N-外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N-外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及氧化硅层的高度，所述氧化硅层及其中一侧正面金属层的顶部设置有钝化层，所述N+衬底层的底部设置有背面金属层。/n

【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管器件结构，主要包括N型外延衬底，其特征在于：所述N型外延衬底包括N+衬底层及设置在所述N+衬底层上的N-外延层，所述N-外延层顶部的中间位置上依次设置有半绝缘多晶硅层及氧化硅层，N-外延层顶部的左右两侧设置有正面金属层，且所述正面金属层的高度高于半绝缘多晶硅层及氧化硅层的高...

【专利技术属性】
技术研发人员：伽亚帕·维拉玛·苏巴斯，沈华，永福，周旭明，
申请(专利权)人：上海道之科技有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31