一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管制造技术

一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底，氧化层埋层，N型漂移区，氧化层，N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区，在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区，在N型缓冲区内设有作为阴极的第二N型重掺杂区，在N型轻掺杂区内设有第一N型重掺杂区，在氧化层内设有第一多晶硅和电容，第一多晶硅位于型轻掺杂区的上方且第一多晶硅与P型轻掺杂区之间被氧化层隔离，所述电容由作为一个极板的第一金属铝和作为另一个极板的第二金属铝组成，第一金属铝与第一N型重掺杂区连接，第一多晶硅，第二金属铝和P型重掺杂区连接。

A low reverse recovery charge transverse diode with integrated capacitor

【技术实现步骤摘要】
一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管
本专利技术主要涉及功率半导体器件
，具体涉及降低反向恢复电荷的横向快恢复二极管。
技术介绍
SOI工艺具有运行速度快、低功耗、低漏电、工艺兼容性好等优点而被广泛应用。基于SOI工艺的横向二极管是功率器件领域应用非常广泛的器件(如图1)，原因在于其具有正向电流大，反向恢复时间短，反向耐压高，开关特性好等优点。尤其在半桥驱动模块的自举电路中，为了与快速开关管进行匹配，自举二极管需要采用快恢复二极管。但随着开关频率的增加，二极管在正向导通和反向阻断的状态间频繁来回切换，每一次由正向导通到反向耐压的切换，二极管都需要经历反向恢复过程，反向恢复电荷越大，二极管功耗越大，由于开关管的导通电阻比较小，所以开关管的功耗就小，此时二极管的功耗就会变为整个电路功耗的主要部分。因此降低反向恢复电荷是提升高频开关电路性能，降低整个电路功耗的关键。同时二极管反向恢复产生的尖峰电流也会损坏电路中的其他器件，严重影响电子电路的可靠性与安全性。一般地，为了降低反向恢复电荷，采用少子寿命控制技术，如Au、Pt等重金属元素扩本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底(1)，P型衬底(1)上设有氧化层埋层(2)，在氧化层埋层(2)上设有N型漂移区(3)，在N型漂移区域(3)上设有P型体区(11)、第三场氧(15)以及N型缓冲区(18)，在P型体区(11)内设有作为阳极的P型重掺杂区(12)，在N型缓冲区(18)内设有作为阴极的第二N型重掺杂区(17)，所述第三场氧(15)位于P型重掺杂区(12)与第二N型重掺杂区(17)之间，其特征在于，在N型漂移区域(3)上设有P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)，并且，P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)位于P型体区(11)的外侧，N型轻掺杂区(8)位于P型...

【技术特征摘要】
1.一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管，包括P型衬底(1)，P型衬底(1)上设有氧化层埋层(2)，在氧化层埋层(2)上设有N型漂移区(3)，在N型漂移区域(3)上设有P型体区(11)、第三场氧(15)以及N型缓冲区(18)，在P型体区(11)内设有作为阳极的P型重掺杂区(12)，在N型缓冲区(18)内设有作为阴极的第二N型重掺杂区(17)，所述第三场氧(15)位于P型重掺杂区(12)与第二N型重掺杂区(17)之间，其特征在于，在N型漂移区域(3)上设有P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)，并且，P型轻掺杂区(4)和N型轻掺杂区(8)位于P型体区(11)的外侧，N型轻掺杂区(8)位于P型体区(11)与P型轻掺杂区(4)之间，在N型轻掺杂区(8)内设有第一N型重掺杂区(7)，在第一N型重掺杂区(7)与P型重掺杂区(12)之间设有第二场氧(10)且位于N型漂移区(3)的上方，在N型轻掺杂区(8)上设有第一场氧(6)且所述第一场氧(6)延伸至P型轻掺杂区(4)上方，在P型轻掺杂区(4)、第一场氧(6)、第一N型重掺杂区(7)、第二场氧(10)、P型重掺杂区(12)、第三场氧(15)、第二N型重掺杂区(17)及N型缓冲区(18)上设有氧化层(19)，在氧化层(19)内设有第一多晶硅(5)和电容，第一多晶硅(5)位于P型轻掺杂区(4)的上方且第一多晶硅(5)与...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙伟锋，朱桂闯，李少红，杨兰兰，祝靖，时龙兴，
申请(专利权)人：东南大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32