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一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管制造技术
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文档序号:24463826
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一种集成电容的低反向恢复电荷的横向二极管,包括P型衬底,氧化层埋层,N型漂移区,氧化层,N型漂移区上设有P型体区、第一场氧、第二场氧、第三场氧、N型缓冲区、P型轻掺杂区和N型轻掺杂区,在P型体区内设有作为阳极的P型重掺杂区,在N型缓冲区内设...
该专利属于东南大学所有,仅供学习研究参考,未经过东南大学授权不得商用。
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