【技术实现步骤摘要】
带铁电或负电容材料的器件及制造方法及电子设备
本公开涉及半导体领域，更具体地，涉及栅电极侧壁上具有铁电或负电容材料层的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。
技术介绍
随着集成电路(IC)中器件密度的不断增加，部件间的间隔越来越小。这使得IC中各部件之间例如栅电极和源/漏之间的交迭电容在器件总电容中的占比增加，并因此使IC的交流(AC)性能劣化。另一方面，即便对于性能要求不高的器件，也期望获得低功耗，并因此希望降低电容。
技术实现思路
有鉴于此，本公开的目的至少部分地在于提供一种栅电极侧壁上具有铁电或负电容材料层的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据本公开的一个方面，提供了一种半导体器件，包括：衬底；在衬底上形成的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及衬底上位于栅电极相对两侧的源区和漏区。根据本公开的另一方面，提供了一种制造半导体器件的方法，包括：在衬底上形成伪栅；在伪栅的侧壁上利用铁电或负电容材料形成侧墙；以及去除伪栅，并在侧墙内侧由...
【技术保护点】
1.一种半导体器件，包括：/n衬底；/n在所述衬底上形成的栅电极；/n在所述栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及/n所述衬底上位于所述栅电极相对两侧的源区和漏区。/n
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
在所述衬底上形成的栅电极；
在所述栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及
所述衬底上位于所述栅电极相对两侧的源区和漏区。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电或负电容材料层是所述半导体器件的栅侧墙。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述铁电或负电容材料层沿着所述栅电极的侧壁的实质上整个高度延伸。
4.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
在所述栅电极的侧壁和底面上形成的栅介质层，
其中，所述栅介质层介于所述栅电极层与所述铁电或负电容材料层之间，所述铁电或负电容材料层沿着所述栅介质层的侧壁的高度的主要部分延伸。
5.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，在所述栅电极的侧壁上形成有多层侧墙，所述铁电或负电容材料层是所述多层侧墙之一。
6.根据权利要求5所述的半导体器件，其中，所述多层侧墙包括：
在所述栅电极的侧壁上形成的L形的第一电介质侧墙；
在所述L形的第一电介质侧墙上形成的所述铁电或负电容材料层；以及
在所述铁电或负电容材料层的侧壁上形成的第二电介质侧墙。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中，所述铁电或负电容材料层沿着所述L形的第一电介质侧墙的侧壁的实质上整个高度延伸。
8.根据权利要求2所述的半导体器件，还包括：
在所述铁电或负电容材料层的侧壁和底面以及所述栅电极的底面上形成的界面层。
9.根据权利要求2或8所述的半导体器件，还包括：
在所述铁电或负电容材料层背对所述栅电极的侧壁上形成的另一侧墙。
10.根据权利要求9所述的半导体器件，还包括：
在所述栅电极的侧壁和底面上形成的栅介质层，
其中，所述铁电或负电容材料层形成在所述栅介质层背对所述栅电极的侧壁上，沿着所述栅介质层的侧壁的实质上整个高度延伸。
11.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：
在所述栅介质层的侧壁和底面上形成的电势均衡层，其中所述电势均衡层介于所述栅介质层与所述铁电或负电容材料层之间。
12.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述铁电或负电容材料层在所述栅电极的侧壁和底面上连续延伸。
13.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：
在所述栅电极的侧壁和底面上形成的栅介质层，
其中，所述铁电或负电容材料层介于所述栅介质层与所述栅电极之间。
14.根据权利要求13所述的半导体器件，还包括：
在所述铁电或负电容材料层的底面和侧壁上形成的电势均衡层，其中，所述电势均衡层介于所述铁电或负电容材料层与所述栅介质层之间。
15.根据权利要求12所述的半导体器件，还包括：
在所述栅电极的侧壁和底面上形成的栅介质层，
其中，所述栅介质层介于所述铁电或负电容材料层与所述栅电极之间。
16.根据权利要求12至15中任一项所述的半导体器件，还包括：
在所述铁电或负电容材料层背对所述栅电极的侧壁上形成的另一侧墙。
17.根据权利要求9或16所述的半导体器件，其中，所述另一侧墙包括铁电或负电容材料。
18.根据权利要求11或14所述的半导体器件，其中，所述电势均衡层是包括元素Ti、Ru、Co和Ta中至少之一的导电层。
技术研发人员：朱慧珑，黄伟兴，
申请(专利权)人：中国科学院微电子研究所，
类型：发明
国别省市：北京;11
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