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公开了一种栅电极侧壁上具有铁电或负电容材料层的半导体器件及其制造方法及包括这种半导体器件的电子设备。根据实施例，半导体器件可以包括：衬底；在衬底上形成的栅电极；在栅电极的侧壁上形成的铁电或负电容材料层；以及衬底上位于栅电极相对两侧的源区和漏...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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