一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法技术

本发明专利技术涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明专利技术解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底；c.去除InGaAs刻蚀停止层；d.涂覆正光刻胶层；e.刻蚀形成上下贯通的第一窗口；f.湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口；g.去除剩余的正光刻胶层；h.沉积增透膜。本发明专利技术适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法
本专利技术涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。
技术介绍
双色InGaAs红外焦平面探测器因其在非制冷情况下具有较高的探测率、低功耗和成本，并且具有低暗电流和良好的抗辐射特性，而被广泛应用于航空安全、生物医学、伪装识别、红外夜视等领域。在现有技术条件下，双色InGaAs红外焦平面探测器因其制备方法所限，其像素区域容易残留N型InP金属接触层。在实际应用中，残留的N型InP金属接触层会吸收部分可见光，导致In0.53Ga0.47As吸收层对可见光的吸收率下降，由此导致双色InGaAs红外焦平面探测器的可见光吸收性能较差。基于此，有必要专利技术一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，以解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题，提供了一种新型双色InG本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：/na.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2），并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2）进行倒装互联；/nb.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底（101）进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底（101），由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层（102）暴露出来；/nc.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层（102），由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层（103）暴露出来；/nd.在N型InP金属接触层（103）上涂覆正光刻胶层（3）；/n...

【技术特征摘要】
1.一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2），并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2）进行倒装互联；
b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底（101）进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底（101），由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层（102）暴露出来；
c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层（102），由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层（103）暴露出来；
d.在N型InP金属接触层（103）上涂覆正光刻胶层（3）；
e.在正光刻胶层（3）上刻蚀形成上下贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家鑫，史衍丽，石慧，郭金萍，贾凯凯，王伟，刘璐，郭文姬，高炜，刘建林，徐文艾，
申请(专利权)人：山西国惠光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14