一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法技术

本发明专利技术涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明专利技术解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底；c.去除InGaAs刻蚀停止层；d.涂覆正光刻胶层；e.刻蚀形成上下贯通的第一窗口；f.湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口；g.去除剩余的正光刻胶层；h.沉积增透膜。本发明专利技术适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。

【技术实现步骤摘要】
一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法
本专利技术涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。
技术介绍
双色InGaAs红外焦平面探测器因其在非制冷情况下具有较高的探测率、低功耗和成本，并且具有低暗电流和良好的抗辐射特性，而被广泛应用于航空安全、生物医学、伪装识别、红外夜视等领域。在现有技术条件下，双色InGaAs红外焦平面探测器因其制备方法所限，其像素区域容易残留N型InP金属接触层。在实际应用中，残留的N型InP金属接触层会吸收部分可见光，导致In0.53Ga0.47As吸收层对可见光的吸收率下降，由此导致双色InGaAs红外焦平面探测器的可见光吸收性能较差。基于此，有必要专利技术一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，以解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。
技术实现思路
本专利技术为了解决现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题，提供了一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本专利技术是采用如下技术方案实现的：一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路，并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底，由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层暴露出来；c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层，由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层暴露出来；d.在N型InP金属接触层上涂覆正光刻胶层；e.在正光刻胶层上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层暴露出来；f.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层暴露出来；g.去除剩余的正光刻胶层，由此使得剩余的N型InP金属接触层暴露出来；h.在像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层和剩余的N型InP金属接触层上沉积增透膜，由此制得双色InGaAs红外焦平面探测器。所述InGaAs光电二极管阵列为现有公知结构，其包括InP衬底、InGaAs刻蚀停止层、N型InP金属接触层、In0.53Ga0.47As吸收层、N型InP层、氮化硅层、连接金属层、P型金属层、铟柱、N型金属层。本专利技术所述的一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法基于全新的工艺原理，实现了双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。与现有双色InGaAs红外焦平面探测器相比，采用本专利技术制得的双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域不会残留N型InP金属接触层，由此显著提高了In0.53Ga0.47As吸收层对可见光的吸收率，从而显著提高了双色InGaAs红外焦平面探测器的可见光吸收性能。本专利技术有效解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题，适用于双色InGaAs红外焦平面探测器的制备。附图说明图1是本专利技术中步骤a的示意图。图2是本专利技术中步骤b的示意图。图3是本专利技术中步骤c的示意图。图4是本专利技术中步骤d的示意图。图5是本专利技术中步骤e的示意图。图6是本专利技术中步骤f的示意图。图7是本专利技术中步骤g的示意图。图8是本专利技术中步骤h的示意图。图中：101-InGaAs光电二极管阵列的InP衬底，102-InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层，103-InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层，104-InGaAs光电二极管阵列的In0.53Ga0.47As吸收层，105-InGaAs光电二极管阵列的N型InP层，106-InGaAs光电二极管阵列的氮化硅层，107-InGaAs光电二极管阵列的连接金属层，108-InGaAs光电二极管阵列的P型金属层，109-InGaAs光电二极管阵列的铟柱，110-InGaAs光电二极管阵列的N型金属层，2-读出电路，3-正光刻胶层，4-增透膜。具体实施方式一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，该方法是采用如下步骤实现的：a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路2，并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路2进行倒装互联；b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底101进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底101，由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层102暴露出来；c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层102，由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层103暴露出来；d.在N型InP金属接触层103上涂覆正光刻胶层3；e.在正光刻胶层3上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层103暴露出来；f.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层103上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层104暴露出来；g.去除剩余的正光刻胶层3，由此使得剩余的N型InP金属接触层103暴露出来；h.在像素区域的In0.53Ga0.47As吸收层104和剩余的N型InP金属接触层103上沉积增透膜4，由此制得双色InGaAs红外焦平面探测器。所述步骤h中，增透膜4为钝化增透膜。虽然以上描述了本专利技术的具体实施方式，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本专利技术的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本专利技术的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式作出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本专利技术的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：/na.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2），并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2）进行倒装互联；/nb.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底（101）进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底（101），由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层（102）暴露出来；/nc.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层（102），由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层（103）暴露出来；/nd.在N型InP金属接触层（103）上涂覆正光刻胶层（3）；/ne.在正光刻胶层（3）上刻蚀形成上下贯通的第一窗口，由此使得像素区域的N型InP金属接触层（103）暴露出来；/nf.通过第一窗口在像素区域的N型InP金属接触层（103）上湿法刻蚀形成上下贯通的第二窗口，由此使得像素区域的In

【技术特征摘要】
1.一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法，其特征在于：该方法是采用如下步骤实现的：
a.选取InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2），并将InGaAs光电二极管阵列和读出电路（2）进行倒装互联；
b.先对InGaAs光电二极管阵列的InP衬底（101）进行减薄，再采用湿法去除剩余的InP衬底（101），由此使得InGaAs光电二极管阵列的InGaAs刻蚀停止层（102）暴露出来；
c.采用湿法去除InGaAs刻蚀停止层（102），由此使得InGaAs光电二极管阵列的N型InP金属接触层（103）暴露出来；
d.在N型InP金属接触层（103）上涂覆正光刻胶层（3）；
e.在正光刻胶层（3）上刻蚀形成上下贯...

【专利技术属性】
技术研发人员：张家鑫，史衍丽，石慧，郭金萍，贾凯凯，王伟，刘璐，郭文姬，高炜，刘建林，徐文艾，
申请(专利权)人：山西国惠光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14