【技术实现步骤摘要】
受光元件和电子设备本申请是申请日为2019年7月1日、专利技术名称为“受光元件、测距模块和电子设备”的申请号为201910584523.8的专利申请的分案申请。
本技术涉及一种受光元件、测距模块和电子设备，更特别地，涉及一种被设计成能够改善特性的受光元件、测距模块和电子设备。
技术介绍
使用间接飞行时间(ToF：timeofflight)方法的测距系统是众所周知的。在这样的测距系统中，通过接收从发光二极管(LED：lightemittingdiode)或激光器以特定相位发射并被物体反射的有源光(activelight)的反射光而获得的信号电荷以高速分配到不同区域。因此，需要能够分配的传感器。鉴于此，例如已经提出了一种技术：通过将电压直接施加到基板并因此在基板中产生电流，能够对传感器的基板中的宽区域进行高速调制(例如，参见专利文献1)。这种传感器也称为电流辅助光子解调器(CAPD：currentassistedphotonicdemodulator)传感器。引用列表专利文献专利文献1JP...
【技术保护点】
1.一种受光元件，其包括：/n第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；/n第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；/n光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；/n第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；以及/n第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域，/n其中，所述多层配线层包括：/n第一配线层，/n其中，所述第一配线层包括：连接到所...
【技术特征摘要】
20180718 JP 2018-1353951.一种受光元件，其包括：
第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；
第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；
光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；
第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；以及
第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域，
其中，所述多层配线层包括：
第一配线层，
其中，所述第一配线层包括：连接到所述第一传输晶体管的第一栅极的第一配线、连接到所述第二传输晶体管的第二栅极的第二配线，以及遮光构件。
2.根据权利要求1所述的受光元件，其中，所述第一配线层设置为比所述多层配线层中包括的第二配线层更靠近所述半导体层。
3.根据权利要求1所述的受光元件，其中，在所述多层配线层中，所述第一配线层最靠近所述半导体层。
4.根据权利要求1所述的受光元件，其还包括：
配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层相同的配线层中。
5.根据权利要求4所述的受光元件，其还包括：
配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层不同的层中，
其中，所述配线电容器设置为比所述第一配线层更远离所述半导体层。
6.根据权利要求1所述的受光元件，其还包括：
金属氧化物膜，所述金属氧化物膜设置在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部中，并且设置在所述半导体层的位于所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间的光接收表面处。
7.根据权利要求6所述的受光元件，其还包括：
金属膜，所述金属膜设置在所述金属氧化物膜上方，其中，所述金属膜设置在所述第一沟槽部以及所述第二沟槽部上方，以及
有机材料，所述有机材料设置在所述金属氧化物膜和所述金属膜上方。
8.根据权利要求7所述的受光元件，
其中，所述有机材料包括树脂。
9.根据权利要求7所述的受光元件，
其中，所述半导体层被配置为接收红外光。
10.根据权利要求1所述的受光元件，
其中，所述遮光构件包括铜。
11.一种受光元件，其包括：
第一沟槽部，所述第一沟槽部设置在半导体层中，所述半导体层在截面图中位于片上透镜和多层配线层之间；
第二沟槽部，所述第二沟槽部在所述截面图中位于所述半导体层中且邻近所述第一沟槽部；
光电二极管，所述光电二极管在所述截面图中位于所述半导体层中且在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间；
第一传输晶体管，所述第一传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第一浮动扩散区域；以及
第二传输晶体管，所述第二传输晶体管将所述光电二极管中生成的电荷传输至第二浮动扩散区域，
其中，所述多层配线层包括：
遮光构件，
其中，所述遮光构件在平面图中不与所述第一传输晶体管的栅极和所述第二传输晶体管的栅极重叠。
12.根据权利要求11所述的受光元件，
其中，所述遮光构件在所述平面图中不与所述第一浮动扩散区域和所述第二浮动扩散区域重叠。
13.根据权利要求11所述的受光元件，
其中，所述多层配线层包括连接到所述第一传输晶体管和所述第二传输晶体管的第一配线层。
14.根据权利要求13所述的受光元件，
其中，所述第一配线层设置为比所述多层配线层中包括的第二配线层更靠近所述半导体层。
15.根据权利要求13所述的受光元件，
其中，在所述多层配线层中，所述第一配线层最靠近所述半导体层。
16.根据权利要求13所述的受光元件，其还包括：
配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层相同的配线层中。
17.根据权利要求13所述的受光元件，其还包括：
配线电容器，所述配线电容器设置在与所述第一配线层不同的层中，
其中，所述配线电容器设置为比所述第一配线层更远离所述半导体层。
18.根据权利要求11所述的受光元件，其还包括：
金属氧化物膜，所述金属氧化物膜设置在所述第一沟槽部和所述第二沟槽部中，并且设置在所述半导体层的位于所述第一沟槽部和所述第二沟槽部之间的光接收表面处。
19.一种受光元...
【专利技术属性】
技术研发人员：蛯子芳树，闺宏司，佐野拓也，
申请(专利权)人：索尼半导体解决方案公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。