影像传感芯片晶圆级封装方法技术

本发明专利技术提供一种影像传感芯片晶圆级封装方法，所述封装方法先将晶圆级的透明基板及设于其上的支撑坝压合在晶圆上，之后再进行切割、刻蚀透明基板和支撑坝的流程，于封装制程的初期即可对所述晶圆上的所有影像传感芯片同时进行密封保护，从而避免逐个对影像传感芯片进行贴合支撑坝和覆盖透明盖板的操作，降低了对后续工艺流程中的环境洁净度要求，从而能够有效提高生产良率，并降低成本。

【技术实现步骤摘要】
影像传感芯片晶圆级封装方法
本专利技术涉及半导体
，具体地涉及一种影像传感芯片晶圆级封装方法。
技术介绍
随着拍照、摄像等光影技术的发展，影像传感芯片作为可以将接收的光信号转换为电信号的功能影像传感芯片可用于电子产品的摄像头中，有巨大的市场需求。与此同时，随着电子产品进一步向多功能化和小型化发展，感光影像传感芯片的封装技术也开始采用晶圆级封装技术，晶圆级封装是对整片晶圆进行封装并测试后再切割得到单个成品影像传感芯片的技术。利用此种封装技术封装后的单个成品影像传感芯片尺寸与单个晶粒尺寸相近，顺应了市场对微电子产品日益轻、小、短、薄化和低价化要求。然而，在现有技术中，向晶圆贴装透明盖板的工艺流程为逐个向影像传感芯片贴装透明盖板和支撑坝，影像传感芯片暴露于环境中的时间较长，并且由于晶圆级封装是对整片晶圆进行加工，有着更大的产品制程面积，所以，生产环境中的杂质颗粒更易对影像传感芯片造成污染，且影像传感芯片的感光区相比于普通影像传感芯片对洁净度要求更高，从而造成采用晶圆级封装技术制作的影像传感芯片良率低，成本高。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种影像传感芯片晶圆级封装方法。本专利技术提供一种影像传感芯片晶圆级封装方法，包括步骤：提供一晶圆，在所述晶圆上形成多颗规律排布的影像传感芯片；提供一晶圆级的透明基板，在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述影像传感芯片的感光区之间的区域制作支撑坝；将所述透明基板形成有所述支撑坝的一面与所述晶圆进行压合；去除所述晶圆切割道上的覆盖物，并暴露出位于所述感光区外侧的第一焊垫；将晶圆级的所述透明基板分成多块透明盖板，所述透明盖板覆盖在所述感光区上方，将所述支撑坝分成围设于所述感光区周圈的单块框体结构；沿切割道切割所述晶圆，形成单个影像传感芯片。作为本专利技术的进一步改进，“制作所述支撑坝”具体包括：在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述感光区之间的区域制作多块平行排布的所述支撑坝，且使相邻所述支撑坝之间露出所述第一焊垫。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，“去除所述晶圆切割道上的覆盖物”具体包括：切割相邻所述感光区之间覆盖在所述切割道和所述第一焊垫之上的所述透明基板。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，“去除所述晶圆切割道上的覆盖物”还包括：切割位于所述透明盖板下方的部分支撑坝。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，“制作所述支撑坝”具体包括：在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述感光区之间的区域制作一块所述支撑坝，使所述支撑坝覆盖所述第一焊垫。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，“去除所述晶圆切割道上的覆盖物”具体包括：切割相邻所述影像传感芯片之间覆盖在所述切割道和所述第一焊垫之上的部分所述透明基板以及部分位于其下方的所述支撑坝；刻蚀切割之后所剩余的部分所述支撑坝，暴露出所述第一焊垫。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，“进行压合”具体包括：在所述支撑坝上设置粘合层，将所述透明基板与所述晶圆进行对位压合。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，所述透明基板为无机玻璃或有机玻璃。作为本专利技术的进一步改进，其特征在于，切割所述晶圆，形成单个所述影像传感芯片后，还包括步骤：提供一基板，将所述影像传感芯片设置在所述基板的第一面上，并与其电性连接；填充塑封料对所述影像传感芯片和所述基板进行塑封；在所述基板相对于其第一面的第二面设置焊接凸起；切割所述基板，形成单个封装结构。作为本专利技术的进一步改进，“将所述影像传感芯片设置在所述基板的第一面上，并与其电性连接”具体包括：将所述影像传感芯片背面贴合于所述基板的第一面；引焊线电性连接所述第一焊垫和位于所述基板第一面上的第二焊垫。本专利技术的有益效果是：通过先将晶圆级透明基板及设于其上的支撑坝贴合在晶圆上，之后再进行切割、刻蚀透明基板和支撑坝的流程，于封装制程的初期即可对所述晶圆上的所有影像传感芯片同时进行密封保护，从而避免逐个对影像传感芯片进行贴合支撑坝和覆盖透明盖板的操作，降低了对后续工艺流程中的环境洁净度要求，从而能够有效提高生产良率，并降低成本。附图说明图1是本专利技术一实施方式中的种影像传感芯片晶圆级封装方法中影像传感芯片、透明基板和支撑坝封装的流程示意图。图2是本专利技术一实施方式中的晶圆示意图。图3是图2中A-A处的剖视图的放大示意图。图4是本专利技术实施例一中的透明基板和支撑坝示意图。图5是图4中B-B处的剖视图的放大示意图。图6是图4中透明基板和支撑坝对位压合于影像传感芯片后的示意图。图7是本专利技术实施例二中的透明基板和支撑坝示意图。图8是图7中C-C处的剖视图。图9是图7中透明基板和支撑坝对位压合于影像传感芯片后的示意图。图10和图11分别是图6和图9中的封装结构去除部分支撑坝和透明基板后的示意图。图12和图13分别是图10和图11中的封装结构切割后的示意图。图14是本专利技术一实施方式中的种影像传感芯片晶圆级封装方法中影像传感芯片与基板封装的流程示意图。图15和图16分别是图12和图13中的封装结构贴合于基板后的示意图。图17和图18分别是图15和图16中的封装结构引焊线电性连接和填充塑封料后的示意图。图19和图20分别是图17和图18中的封装结构在基板第二面设置焊接凸起后的示意图。图21和图22分别是图19和图20中的封装结构切割形成的单个影像传感芯片晶圆级封装结构示意图。具体实施方式为使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本申请具体实施方式及相应的附图对本申请技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施方式仅是本申请一部分实施方式，而不是全部的实施方式。基于本申请中的实施方式，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施方式，都属于本申请保护的范围。下面详细描述本专利技术的实施方式，实施方式的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施方式是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。为方便说明，本文使用表示空间相对位置的术语来进行描述，例如“上”、“下”、“后”、“前”等，用来描述附图中所示的一个单元或者特征相对于另一个单元或特征的关系。空间相对位置的术语可以包括设备在使用或工作中除了图中所示方位以外的不同方位。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为位于其他单元或特征“下方”或“上方”的单元将位于其他单元或特征“下方”或“上方”。因此，示例性术语“下方”可以囊括下方和上方这两种空间方位。如图1所示，本专利技术提供一种影像传感芯片晶圆级封装方法，包括步骤：S1：如图2和图3所示，提供一晶圆1，所述晶圆1上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，包括步骤：/n提供一晶圆，在所述晶圆上形成多颗规律排布的影像传感芯片；/n提供一晶圆级的透明基板，在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述影像传感芯片的感光区之间的区域制作支撑坝；/n将所述透明基板形成有所述支撑坝的一面与所述晶圆进行压合；/n去除所述晶圆切割道上的覆盖物，并暴露出位于所述感光区外侧的第一焊垫，将晶圆级的所述透明基板分成多块透明盖板，所述透明盖板覆盖在所述感光区上方，将所述支撑坝分成围设于所述感光区周圈的单块框体结构；/n沿切割道切割所述晶圆，形成单个影像传感芯片。/n

【技术特征摘要】
1.一种影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，包括步骤：
提供一晶圆，在所述晶圆上形成多颗规律排布的影像传感芯片；
提供一晶圆级的透明基板，在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述影像传感芯片的感光区之间的区域制作支撑坝；
将所述透明基板形成有所述支撑坝的一面与所述晶圆进行压合；
去除所述晶圆切割道上的覆盖物，并暴露出位于所述感光区外侧的第一焊垫，将晶圆级的所述透明基板分成多块透明盖板，所述透明盖板覆盖在所述感光区上方，将所述支撑坝分成围设于所述感光区周圈的单块框体结构；
沿切割道切割所述晶圆，形成单个影像传感芯片。


2.根据权利要求1所述的影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，“制作所述支撑坝”具体包括：
在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所述感光区之间的区域制作多块所述支撑坝，且使相邻所述支撑坝之间露出所述第一焊垫。


3.根据权利要求2所述的影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，“去除所述晶圆切割道上的覆盖物”具体包括：
切割相邻所述感光区之间覆盖在所述切割道和所述第一焊垫之上的所述透明基板。


4.根据权利要求3所述的影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，“去除所述晶圆切割道上的覆盖物”还包括：
切割位于所述透明盖板下方的部分支撑坝。


5.根据权利要求1所述的影像传感芯片晶圆级封装方法，其特征在于，“制作所述支撑坝”具体包括：
在所述透明基板上对应于所述晶圆上各相邻所...

【专利技术属性】
技术研发人员：王蔚，朱程亮，王鑫琴，
申请(专利权)人：苏州晶方半导体科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32