一种新型电极线排布的垂直结构LED芯片制造技术

本发明专利技术提供一种新型电极线排布的垂直结构LED芯片，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构；所述第二导电类型电极包括第二导电类型电极线和第二导电类型焊盘；所述二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；所述第二导电类型电极线与n个二极管单元顶部欧姆接触，并部分或全部从n个二极管单元前端面延伸至后端面。本发明专利技术减少了单元之间的电极线排布，增大发光面积的同时增强了电流扩散效果，解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。

【技术实现步骤摘要】
一种新型电极线排布的垂直结构LED芯片
本专利技术涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
技术介绍
常规的垂直结构LED芯片中，电流扩散主要依靠n电极侧，有电极引线型引线或钻孔型的引线，但总体电流扩散仍不均匀，导致发光效率的损失，散热也不均匀，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性。从而限制了垂直大功率LED芯片提供单位面积流明输出更高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的垂直LED芯片技术无法提供有效的解决方案。现有技术一为Proc.ofSPIEVol.10021100210X-12016会议论文，如图1-3所示，其中，图1为垂直LED芯片的结构图，其中p型电极与背面的电极相连(backmetalAu)，黑色部分边缘的方框与中间3根手指型引线代表了第二导电类型电极，通过下方的两个大的N-pad打线引出。因此整个芯片的电流扩散，主要为n型金属线所限制。图2展示了现有技术一的垂直芯片的近场分析图和中线上归一化本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：/n第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构；所述第二导电类型电极包括第二导电类型电极线和第二导电类型焊盘；/n所述二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；/n所述第二导电类型电极线与n个二极管单元顶部欧姆接触，第二导电类型电极线从n个二极管单元前端面延伸至后端面，或所述第二导电类型电极线从部分二极管单元前端面延伸至后端面；所述台面结构面积根据电流扩散长度确定。/n

【技术特征摘要】
1.一种新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，包括：
第一导电类型电极，第二导电类型电极及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构；所述第二导电类型电极包括第二导电类型电极线和第二导电类型焊盘；
所述二极管台面结构包括n个二极管单元和沟槽结构，其中，n≥2；
所述第二导电类型电极线与n个二极管单元顶部欧姆接触，第二导电类型电极线从n个二极管单元前端面延伸至后端面，或所述第二导电类型电极线从部分二极管单元前端面延伸至后端面；所述台面结构面积根据电流扩散长度确定。


2.一种如权利要求1所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述n个二极管单元成p行或q列排列，每行或每列二极管单元数量大于等于1。


3.一种如权利要求1所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述沟槽结构位于二极管单元之间。


4.一种如权利要求2所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极线与行内或列内的二极管单元之间的沟槽交叉或垂直。


5.一种如权利要求2所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述第二导电类型电极线与行间或列间的二极管单元之间的沟槽平行。


6.一种如权利要求1所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，部分第二导电类型电极线铺设于沟槽结构，并与二极管单元顶部部分欧姆接触。


7.一种如权利要求1或2所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述二极管单元沿x轴方向长度为0.001微米～200微米。


8.一种如权利要求1或2所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所述二极管单元形状为：三角形、矩形、平行四边形、五边形、六边形、圆形或任意自定义形状。


9.一种如权利要求1所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，第二导电类型焊盘形状为半圆形，圆形，矩形，三角形，不规则直线多边形，或一条或多条边为弧形的不规则多边形。


10.一种如权利要求1所述的新型电极线排布的垂直结构LED芯片，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：闫春辉，蒋振宇，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44