一种均匀发光的集成单元二极管芯片制造技术

本发明专利技术提供一种均匀发光的集成单元二极管芯片，包括：第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，所述二极管台面结构包括n个二极管单元，所述n个二极管单元沿x轴方向长度不同或沿y轴方向宽度不同。所述n个二极管单元相对于台面结构的平面位置函数为线性或非线性。所述台面结构面积根据电流扩散长度确定，其中，n≥2。本发明专利技术通过不均匀的台面结构设计，获得超均匀的电流分布，热分布，波长分布，以及窄半高的高质量LED光源，解决了现有技术存在的二极管结构在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上极大局限性的技术问题，提高了单位面积芯片的流明输出，降低了流明成本。

【技术实现步骤摘要】
一种均匀发光的集成单元二极管芯片
本专利技术涉及半导体材料和器件工艺领域，特别是半导体光电器件。
技术介绍
常规的垂直结构LED芯片中，电流扩散主要依靠n电极侧，有电极引线型引线或钻孔型的引线，但总体电流扩散仍不均匀，导致发光效率的损失，散热也不均匀，从而影响单元二极管芯片的效率和稳定性。从而限制了垂直大功率LED芯片提供单位面积流明输出更高的产品。电流扩散的不均匀、热扩散的不均匀和光提取的不均匀，导致其在流明效率、流明密度输出、流明成本三个重要的参数上有极大的局限性，目前市场上的垂直LED芯片技术无法提供有效的解决方案。现有技术一为Proc.ofSPIEVol.10021100210X-12016会议论文，如图1-3所示，其中，图1为垂直LED芯片的结构图，其中p型电极与背面的电极相连，黑色部分边缘的方框与中间3根手指型引线代表了n型电极，通过下方的两个大的N-pad打线引出。因此整个芯片的电流扩散，主要为n型金属线所限制。图2展示了现有技术一的垂直芯片的近场分析图和中线上归一化的电流分布图，芯片的尺寸为1.2mm×1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：/n第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，/n所述二极管台面结构包括n个二极管单元，其中n个二极管单元沿x轴方向长度不同或沿y轴方向宽度不同，所述台面结构面积根据电流扩散长度确定，/n其中，n≥2；/n所述n个二极管单元相对于台面结构的平面位置函数为:/n

【技术特征摘要】
1.一种均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，包括：
第一导电类型电极，第二导电类型电极，及位于所述第一导电类型电极上的二极管台面结构，
所述二极管台面结构包括n个二极管单元，其中n个二极管单元沿x轴方向长度不同或沿y轴方向宽度不同，所述台面结构面积根据电流扩散长度确定，
其中，n≥2；
所述n个二极管单元相对于台面结构的平面位置函数为:





2.一种如权利要求1所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述f(a),g(b)为线形函数，或非线性函数。


3.一种如权利要求1或2所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述n个二极管单元大小与形状均不同，或部分相同。


4.一种如权利要求1所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述n个二极管单元沿x轴方向长度为L0，L1，L2,…Lx,…Ln；所述L0≥L1≥L2≥…Lx…≥Ln。


5.一种如权利要求1所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述n个二极管单元沿y轴方向宽度为0.001微米-200微米；所述n个二极管单元沿y轴方向从中间往两边宽度为W0，W1，W2,…Wy,…Wn，其中W0≥W1≥W2≥…Wy…≥Wn。


6.一种如权利要求1所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，包括沟槽结构；所述沟槽结构位于二极管单元之间。


7.一种如权利要求2或6所述的均匀发光的集成单元二极管芯片，其特征在于，所述n个二极管单元之间的沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋振宇，闫春辉，
申请(专利权)人：深圳第三代半导体研究院，
类型：发明
国别省市：广东;44