【技术实现步骤摘要】
一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺
本专利技术涉及半导体器件
，尤其涉及一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺。
技术介绍
InGaAsPIN平面型短波红外焦平面探测器响应波段在0.9-1.7um，在非制冷情况下有较高的探测率，低功耗和成本，并且具有低暗电流和良好的抗辐射特性，以及在航空安全，生物医学，伪装识别，红外夜视等领域的应用，受到了人们的广泛关注。目前探测器的工艺中，红外光照射到探测器上，两个像素之间的光大部分被InGaAs吸收层吸收，但剩余部分透射出InGaAs吸收层，照射到读出电路上，没有被InGaAs吸收层吸收，就会导致光的吸收率降低。
技术实现思路
为解决现有技术的缺点和不足，提供一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，使得没被吸收的光经过反射镜后，又被InGaAs吸收层二次吸收，提高器件的光吸收率，进而提高量子效率。为实现本专利技术目的而提供的一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，包括有以下步骤：第一步：利用MOCVD在InP衬...
【技术保护点】
1.一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，其特征在于：包括有以下步骤：/n第一步：利用MOCVD在InP衬底上依次生长N型InP金属接触层、吸收层In
【技术特征摘要】
1.一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，其特征在于：包括有以下步骤：
第一步：利用MOCVD在InP衬底上依次生长N型InP金属接触层、吸收层In0.53Ga0.47As、冒层N型InP、牺牲层InGaAs，形成外延结构；
第二步：用湿法去除牺牲层InGaAs，然后在冒层N型InP上沉积第一层氮化硅，形成钝化层，为第一道光刻做准备；
第三步：进行第一道光刻开孔，干法刻蚀第一层氮化硅，进行锌扩散，形成P型掺杂；
第四步：沉积第二层氮化硅，做第二道光刻开孔，干法刻蚀氮化硅，形成欧姆孔，为蒸镀P型金属做准备；
第五步：做第三道光刻开孔，蒸镀P型金属并剥离，为形成P型欧姆接触做准备；
第六步：做第四道光刻，干法刻蚀第一层和第二层的氮化硅，湿法刻蚀冒层N型InP...
【专利技术属性】
技术研发人员：张家鑫，史衍丽，石慧，郭金萍，贾凯凯，王伟，刘璐，郭文姬，高炜，刘建林，徐文艾，
申请(专利权)人：山西国惠光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山西;14
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