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本发明公开了一种新型InGaAs红外焦平面探测器的制备工艺，为了增大红外光的吸收效率，通过在像素之间增加Ti/Au反射层，使得未被InGaAs吸收层吸收的红外光不能穿透芯片照射到读出电路上，而是经过Ti/Au反射层后，红外光被反射回去，又被...
该专利属于山西国惠光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西国惠光电科技有限公司授权不得商用。

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