紫外探测器及其制备方法技术

本申请属于探测器技术领域，尤其涉及一种紫外探测器的制备方法，包括步骤：获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。本申请紫外探测器的制备方法，实现了不同晶相组织晶种层均生长出高取向性的纳米棒阵列，提高MgZnO纳米棒阵列中表面/体积比，使制备的紫外探测器具有较高的响应度，更低暗电流，更高光暗电流比，紫外光探测性能好。

【技术实现步骤摘要】
紫外探测器及其制备方法
本申请属于探测器
，尤其涉及一种紫外探测器及其制备方法。
技术介绍
高灵敏度紫外光电探测器在细胞检测、远程控制、环境监测和光电集成电路等领域具有重要应用。随着半导体材料与器件制备工艺的不断进步，新一代宽禁带半导体紫外探测器克服了传统的光电倍增管器件结构复杂、体积大、耗能高等缺点，目前已成为紫外探测
的关注热点。同时，宽禁带材料自身所具备的可见盲性，有效弥补了硅基器件无法实现自身屏蔽可见光的劣势。而且宽禁带材料种类众多，包括多种氧化物材料如ZnO、TiO2、Ga2O3、MgZnO等，这些材料性质稳定，制备方法多样且成本低，具有重要的应用价值。相较之下，MgZnO材料具有较低的生长温度(100℃～750℃)、覆盖较长紫外波段连续可调的带隙范围(3.37～7.8eV)、更强的抗辐射性能、原材料丰富且成本低等优点，因此MgZnO材料成为目前紫外探测器的研究热点。此前，有研究发现：相较于传统薄膜型探测器，纳米棒阵列构筑的探测器体现出巨大优势；MgZnO纳米棒阵列型紫外探测器的响应度相较于MgZnO薄膜型紫外探测本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：/n获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；/n在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；/n在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。/n

【技术特征摘要】
1.一种紫外探测器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
获取衬底层，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材，形成MgZnO晶种层；
在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒，形成MgZnO纳米棒阵列层；
在所述MgZnO纳米棒阵列层背离所述MgZnO晶种层的表面制备电极，得到紫外探测器。


2.如权利要求1所述的紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述衬底层上沉积MgZnO靶材的步骤包括：采用Mg元素与Zn元素的摩尔比为1：(0.43～2.33)的MgZnO靶材，在衬底温度为200℃～500℃、氧气压强为2Pa～6Pa、氧气流量为8sccm～12sccm、衬底与靶间距为40mm～80mm、激光能量为200～400mJ、激光频率为3～6Hz的条件下，形成MgZnO晶种层。


3.如权利要求2所述的紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述MgZnO晶种层中，MgZnO晶体为立方相和/或六方相；和/或
所述MgZnO晶种层的厚度为200～500纳米。


4.如权利要求1～3任一所述的紫外探测器的制备方法，其特征在于，在所述MgZnO晶种层上生长MgZnO纳米棒的步骤包括：获取氧化锌、镁粉和碳粉，将所述氧化锌和所述碳粉的混合物、所述镁粉和形成有所述MgZnO晶种层的衬底置于气相沉积体系内，在压强为2torr～3torr、保护气体流量为25sccm～35sccm的条件下，升温至800℃～1000℃后，提供流量为1sccm～3sccm的氧气，保温20min～40min后降温，在所述MgZnO晶种层背离所述衬底的表面形成所述MgZnO纳米棒阵列层。


5.如权利要求4所述的紫外探测器的制备方法，其特征在于，所述氧化锌...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹培江，王庆，栾迪，吕有明，朱德亮，柳文军，韩舜，刘新科，许望颖，方明，曾玉祥，
申请(专利权)人：深圳大学，
类型：发明
国别省市：广东;44