【技术实现步骤摘要】
一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法
本专利技术涉及太阳能电池
，具体涉及一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法。
技术介绍
目前制备隧穿氧化层钝化接触电池的主要方法为LPCVD法(TOPCon)，但是这种制备方法存在以下问题：(1)由于LPCVD设备中硅片是采用背靠背的方法插入石英槽中，在高温分解硅烷来制备多晶硅时不可避免的会产生绕镀现象，即不仅电池背面沉积了多晶硅，电池的扩散面也沉积了部分多晶硅，这部分多出的多晶硅会严重影响太阳能电池的性能，因而需要额外增加专门的多晶硅清洗设备和清洗工艺，从而增加了生产复杂度，降低产品的良率，且多晶硅清洗设备属于新研发设备，设备价格较高，提高了制备成本；(2)SiO2层一般采用热氧化法生长，这种方法制备出的SiO2中的硅来源于硅片表面，当硅片表面形成一定厚度的SiO2层后，氧化剂必须以扩散的形式运动到Si-SiO2界面，再与硅反应生成SiO2，然而，随着SiO2层的增厚，薄膜的生长速率将逐渐下降，从而很难控制氧化速率，特别是难以制备出极薄的氧化层，如1-5nm的氧化层，而...
【技术保护点】
1.一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1.选取晶体硅基体，对硅片进行预处理；/nS2.将步骤S1处理后的晶体硅基体放入板式PECVD设备，在板式PECVD工艺腔内首先完成隧穿氧化层沉积，然后在隧穿氧化层上面沉积原位掺杂非晶硅层；/nS3.将步骤S2处理后的晶体硅基体进行退火处理，使掺杂非晶硅完成晶化，从而得到掺杂多晶硅层。/n
【技术特征摘要】
1.一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1.选取晶体硅基体，对硅片进行预处理；
S2.将步骤S1处理后的晶体硅基体放入板式PECVD设备，在板式PECVD工艺腔内首先完成隧穿氧化层沉积，然后在隧穿氧化层上面沉积原位掺杂非晶硅层；
S3.将步骤S2处理后的晶体硅基体进行退火处理，使掺杂非晶硅完成晶化，从而得到掺杂多晶硅层。
2.基于权利要求1的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S1中，预处理后在晶体硅基体的表面形成抛光面或制绒面。
3.基于权利要求1的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，其特征在于，在步骤S2中，先在板式PECVD腔内通入氧气和一氧化二氮气体，激发方式为微波激发，加热温度为300～450℃，从而制备隧穿氧化层；隧穿氧化层的成分为二氧化硅、氮化硅或二氧化硅与氮化硅的混合物；隧穿氧化层的厚...
【专利技术属性】
技术研发人员：杜哲仁，马丽敏，陈嘉，刘荣林，
申请(专利权)人：江苏杰太光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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