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本发明的一种用PECVD设备制备钝化接触电池的方法，包括如下步骤：S1.选取晶体硅基体，对硅片进行预处理；S2.将步骤S1处理后的晶体硅基体放入板式PECVD设备，在板式PECVD工艺腔内首先完成隧穿氧化层沉积，然后在隧穿氧化层上面沉积原位...
该专利属于江苏杰太光电技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏杰太光电技术有限公司授权不得商用。

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