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本发明涉及双色InGaAs红外焦平面探测器，具体是一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制备方法。本发明解决了现有双色InGaAs红外焦平面探测器的像素区域容易残留N型InP金属接触层的问题。一种新型双色InGaAs红外焦平面探测器的制...
该专利属于山西国惠光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过山西国惠光电科技有限公司授权不得商用。

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