【技术实现步骤摘要】
一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构
本技术涉及多晶硅生产
,具体领域为一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构。
技术介绍
在多晶硅的生产过程中需要通过高纯氢将高纯度的三氯氢硅还原,还原过程以高纯度硅芯棒作为载体,并将高纯度硅芯棒加热到反应温度,使多晶硅在硅芯棒内生成并沉积,而且生产过程中还需要将多个硅芯棒搭接起来形成导电的回路,但目前硅芯棒之间大多是通过钼丝绑住,使硅芯棒之间的接触不稳定,容易造成硅芯棒之间的电阻增大使电流不易通过,容易引起反应的局部过热,还容易造成硅芯棒的倒塌,使还原反应无法顺利的进行,为此,我们提供一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,以解决上述
技术介绍
中提出的问题。为实现上述目的,本技术提供如下技术方案:一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒和横硅芯棒,所述横硅芯棒的下表面左右两侧均设有开槽一,两个所述开槽一相背对的表面上部连接有卡板,两个所述竖硅芯棒相对的表面上均设有与所述卡板配合使 ...
【技术保护点】
1.一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒(1)和横硅芯棒(2),其特征在于:所述横硅芯棒(2)的下表面左右两侧均设有开槽一(3),两个所述开槽一(3)相背对的表面上部连接有卡板(4),两个所述竖硅芯棒(1)相对的表面上均设有与所述卡板(4)配合使用的卡板槽(5),两个所述卡板(4)分别卡在对应的所述卡板槽(5)内,两个所述竖硅芯棒(1)相对的表面上部均设有开槽二(6),所述开槽二(6)与所述卡板槽(5)贯通设置,且所述开槽二(6)的长度小于所述卡板槽(5)的长度,两个所述开槽二(6)相对的表面上设有卡块(7),所述横硅芯棒(2)的上表面左右两侧均设有配合所 ...
【技术特征摘要】
1.一种硅芯棒及用于多晶硅生长的硅芯结构,包括两个竖硅芯棒(1)和横硅芯棒(2),其特征在于:所述横硅芯棒(2)的下表面左右两侧均设有开槽一(3),两个所述开槽一(3)相背对的表面上部连接有卡板(4),两个所述竖硅芯棒(1)相对的表面上均设有与所述卡板(4)配合使用的卡板槽(5),两个所述卡板(4)分别卡在对应的所述卡板槽(5)内,两个所述竖硅芯棒(1)相对的表面上部均设有开槽二(6),所述开槽二(6)与所述卡板槽(5)贯通设置,且所述开槽二(6)的长度小于所述卡板槽(5)的长度,两个所述开槽二(6)相对的表面上设有卡块(7),所述横硅芯棒(2)的上表面左右两侧均设有配合所述卡块(7)使用的卡块槽(8),且所述卡块(7)卡在对应的所述卡块槽(8)的内部。
2.根据权利要求1所述的一种硅芯棒及用于多晶硅生长的...
【专利技术属性】
技术研发人员:金胜,薛建云,施红亮,邱风,
申请(专利权)人:新疆登博新能源有限公司,
类型:新型
国别省市:新疆;65
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。