一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置，属于化学气相沉积技术领域。本实用新型专利技术装置包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置，真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源，沉积腔室被设有孔洞的隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，通过将化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均设在孔洞的上方，使气流以Z字形方式在腔室内流动，延长其在腔室中的行走路径和停留时间，增加甲基三氯硅烷的分解度，提高成品率，同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道；再通过收尘室与真空泵之间设置过滤器，收尘室与过滤器之间的管道设有能通冷却液的夹层，以降低甲基三氯硅烷在该管道处的分解以及粉尘的堆积，保证生产顺利。

【技术实现步骤摘要】
一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置
本技术属于化学气相沉积
，具体涉及一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置。
技术介绍
近年来在半导体电子工业中，SiC(碳化硅)引起了人们极大的兴趣，其是在一些极端条件下应用的半导体器件的比较好的候选材料，如高温和辐射环境、高功率的应用、高热功率消散等。SiC陶瓷材料具有许多优异的物理化学性能，如高比强度、高比模量、低密度、高硬度、高热导率、低热膨胀系数、耐腐蚀、抗氧化等，因而在高温结构材料中备受青睐。SiC陶瓷的制备方法有多种，如无压烧结法、反应烧结法、热压及热等静压法、化学气相沉积法(CVD)和化学气相渗透法(CVI)。其中CVD法制备SiC的工艺具有过程温度较低，生产量大，容易控制等特点，制备的SiC材料为单相材料，光学可加工性极好，光学加工表面粗糙度可以达到抛光精度高，对不同的波长的光都具有很好的反射效果，因而是新型轻质卫星反射镜的首选材料。常规制备SiC的装置主要是制备碳化硅膜的装置，较少制备具有一定尺寸和厚度的碳化硅块体材料的装置。
技术实现思路
本技术的目的在于克服现有技术中的上述缺陷，提供一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置，以制备具有一定尺寸和厚度，且厚度均匀的碳化硅块料，并提高成品率，避免出气管道堵塞，确保生产顺利进行。为实现上述目的，本技术采用的技术方案为：本技术提供了一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置，其包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置，所述真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源，所述沉积腔室被隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，其中所述隔板的下半部分设有孔洞，所述供气装置通过管道A与所述化学气相沉积室侧壁的上半部分连接，所述真空泵通过设有压力控制阀的管道与所述收尘室侧壁的上半部分连接，所述供气装置包括供应氢气的装置、供应甲基三氯硅烷气体的装置以及供应载气的装置。甲基三氯硅烷(MTS)在化学气相沉积室中会发生分解，形成碳化硅并沉积于石墨基底上；通过控制沉积腔室内的温度和压力为合理的工艺值，能使得碳化硅沉积形成具有一定尺寸和厚度，且厚度均匀的碳化硅块料。但部分甲基三氯硅烷未来得及分解就被气流带离化学气相沉积室并在出气管道中继续分解，导致粉料沉积于出气管道中而使出气管道堵塞，所述装置通过将化学气相沉积室的进气口和收尘室的出气口均设置在隔板上孔洞的上方，使得气流在沉积腔室内以Z字形方式流动，延长了其在腔室内的行走路径和停留时间，使得甲基三氯硅烷的分解度增加，提高了成品率，同时减少了甲基三氯硅烷进入后端管道和设备，防止出气管道堵塞以及后端设备的工作受粉尘的影响。其中，所述孔洞可为任意形状，如圆形、椭圆形、三角形、长方形、正方形、多边形等。作为本技术装置的优选实施方式，所述化学气相沉积室与所述管道A连接处设有一个以上过滤片。所述过滤片能起过滤和控制气流分布速率的作用。作为本技术装置的优选实施方式，所述过滤片为陶瓷过滤片。作为本技术装置的优选实施方式，所述收尘室与所述真空泵之间设有一个过滤器或两个以上并联的过滤器。一般甲基三氯硅烷在沉积腔室内的利用率都较低，小于30％，大部分的甲基三氯硅烷都被抽走或在尾气端形成粉料，导致后端管道堵塞，而后端管道一旦堵塞，则不能继续进行气相沉积，导致沉积的碳化硅产品达不到预期的厚度，故后端的粉料在生产运行过程中的清理非常重要。通过在所述收尘室与所述真空泵之间设置过滤器，可拦截尾气中的粉尘，防止后端管道堵塞，也能防止真空泵因粉尘而产生故障；设置两个以上并联的过滤器，可先采用其中的一个再切换至另一个，以便于生产运行过程中清理料粉。作为本技术装置的优选实施方式，每个过滤器下方都设有配套连接的收尘罐。作为本技术装置的优选实施方式，所述收尘室与所述过滤器之间通过管道B连接，所述管道B上设有能通冷却液的夹层。通过在管道B的夹层中通冷却液，能降低尾气温度，从而降低粉料在管道B中的积累概率，防止管道B等出气管道堵塞，进而防止出气管道堵塞引发压力变化而导致工艺条件无法控制，运行提前结束，使得生产的碳化硅块料达不到预期厚度。作为本技术装置的优选实施方式，所述供气装置还包括混气罐，所述供应氢气的装置为氢气罐，所述供应载气的装置为载气罐，所述供应甲基三氯硅烷气体的装置包括水浴加热装置和甲基三氯硅烷容器，所述氢气罐通过管道C与所述甲基三氯硅烷容器连接，所述混气罐通过管道D与所述甲基三氯硅烷容器连接，所述管道C插入所述甲基三氯硅烷容器的深度大于所述管道D插入所述甲基三氯硅烷容器的深度，所述混气罐还分别与所述化学气相沉积室以及所述载气罐连接。作为本技术装置的优选实施方式，所述收尘室和所述尾气处理装置之间还设有与所述真空泵并联的真空泵。这样可以实现一用一备，当其中一个真空泵出现问题时，不影响生产，也便于维修。作为本技术装置的优选实施方式，所有真空泵都为干泵。甲基三氯硅烷分解会产生大量的氯化氢，通过采用真空干泵，能减少尾气与水、油接触的概率，从而减少氯化氢对真空泵的腐蚀。作为本技术装置的优选实施方式，所述载气罐为氩气罐。与现有技术相比，本技术具有以下优点和有益效果：(1)本技术装置能用于制备具有一定尺寸和厚度，且厚度均匀的碳化硅块料。(2)本技术装置能使气流以Z字形的方式在沉积腔室内流动，延长其在腔室中的行走路径，增加甲基三氯硅烷在腔室内的停留时间，提高甲基三氯硅烷的分解度，提升成品率，同时减少甲基三氯硅烷进入后端出气管道和设备的概率。(3)本技术装置能减少粉尘在出气管道中的积累，避免出气管道堵塞，保证生产的顺利进行。附图说明图1为本技术制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置的结构示意图；其中，1-供气装置1，2-真空气相沉积炉2，3-过滤器，4-真空泵，5-尾气处理装置，6-收尘罐，7-管道B，11-氢气罐，12-甲基三氯硅烷容器，13-水浴加热装置，14-混气罐，15-载气罐，16-管道C，17-管道D，21-沉积腔室，22-收尘室，211-化学气相沉积室，212-收尘室，213-隔板，214-孔洞，51-尾气吸收塔，52-排气泵。具体实施方式下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是技术的一部分实施例，而不是全部的实施例，基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。本实施例为本技术制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置的一种实施例，该装置的结构示意图如图1所示，其包括依次连接的供气装置1、真空气相沉积炉2、过滤器3、真空泵4和尾气处理装置5，其中真空泵4为干泵以减少尾气中的氯化氢对其造成的腐蚀；供气装置1包括氢气罐11、甲基三氯硅烷容器12、水浴加热装置13、混气罐14和载气罐15，其中甲基三氯硅烷容器12放置于水浴加热装置13中，混气罐14和载气罐15连接，氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置，其特征在于，所述装置包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置，所述真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源，所述沉积腔室被隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，其中所述隔板的下半部分设有孔洞，所述供气装置通过管道A与所述化学气相沉积室侧壁的上半部分连接，所述真空泵通过设有压力控制阀的管道与所述收尘室侧壁的上半部分连接，所述供气装置包括供应氢气的装置、供应甲基三氯硅烷气体的装置以及供应载气的装置。/n

【技术特征摘要】
1.一种制备多晶碳化硅的化学气相沉积装置，其特征在于，所述装置包括依次连接的供气装置、真空气相沉积炉、真空泵和尾气处理装置，所述真空气相沉积炉包括沉积腔室和加热源，所述沉积腔室被隔板分隔为化学气相沉积室和收尘室，其中所述隔板的下半部分设有孔洞，所述供气装置通过管道A与所述化学气相沉积室侧壁的上半部分连接，所述真空泵通过设有压力控制阀的管道与所述收尘室侧壁的上半部分连接，所述供气装置包括供应氢气的装置、供应甲基三氯硅烷气体的装置以及供应载气的装置。


2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述化学气相沉积室与所述管道A连接处设有一个以上过滤片。


3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，所述过滤片为陶瓷过滤片。


4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述收尘室与所述真空泵之间设有一个过滤器或两个以上并联的过滤器。


5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，每个过滤器下方都设有配套连接的...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡丹，于金凤，朱刘，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44