一种导电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于导电薄膜领域，具体公开一种导电薄膜及其制备方法。本发明专利技术通过在钛钽铈掺杂氧化铟薄膜上沉积两层锌钽掺杂氧化锡，并配合退火处理的方法，能够提高制得的导电薄膜的抗氧化性能，使制得的导电薄膜在环境保存中电学性能不下降。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于导电薄膜领域，具体涉及一种导电薄膜及其制备方法。

技术介绍

1、掺锡氧化铟(indiumtinoxide)，简称ito，是一种n型半导体材料，具有导电率高、可见光透过率高、机械硬度高和化学稳定性优良等优点，主要应用于光电器件领域，特别是平板显示器、薄膜太阳能电池等领域，是液晶显示器、等离子显示器、电致发光显示器、触摸屏、太阳能电池以及其他电子仪表的透明电极最常用的薄膜材料。但是，ito薄膜仍存在一些亟待解决的缺点，如传统ito透明导电薄膜暴露于大气环境下会自然氧化，方阻会逐渐上升，降低了薄膜的光电性能，对下一个工序或者整个成品中光电性能产生不利的影响。

技术实现思路

1、针对上述现有技术涉及在大气环境下的ito薄膜方阻会逐渐上升的问题，本专利技术将提供一种导电薄膜及其制备方法。

2、为实现上述目的，具体包括以下技术方案：

3、一种导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：

4、(1)采用钛钽铈掺杂氧化铟靶材在基底上进行磁控溅射沉积，得到第一薄膜；</p>

5、(2本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钛钽铈掺杂氧化铟靶材由如下质量百分含量的组分组成：In2O3 98.57％、TiO20.63％、Ta2O50.52％、CeO20.28％。

3.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)和(5)中，所述锌钽掺杂氧化锡靶材由如下质量百分含量的组分组成：SnO297.6％、ZnO2.1％、Ta2O50.3％。

4.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磁控溅射沉积过程包括如下参数：腔...

【技术特征摘要】

1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述钛钽铈掺杂氧化铟靶材由如下质量百分含量的组分组成：in2o3 98.57％、tio20.63％、ta2o50.52％、ceo20.28％。

3.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)和(5)中，所述锌钽掺杂氧化锡靶材由如下质量百分含量的组分组成：sno297.6％、zno2.1％、ta2o50.3％。

4.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(1)中，所述磁控溅射沉积过程包括如下参数：腔体的本底真空度为(5-8)×10-6torr，腔体真空度为(2.5-5.2)×10-3torr，靶材基距为45-100mm，溅射功率为800-1450w，沉积时间为20-60s，沉积的厚度为10-100nm，气氛为含氢气的混合气和含氧气的混合气气氛；通入所述含氢气的混合气和含氧气的混合气的气体流量比为(80-90)：(20-10)，通入含氢气的混合气和含氧气的混合气的气压皆为(2.5-5.2)×10-3torr，所述含氢气的混合气为氢气和氩气的混合气体；所述含氧气的混合气为氧气和氩气的混合气体。

5.如权利要求1所述的导电薄膜的制备方法，其特征在于，步骤(3)中，所述磁控溅射沉积过程包括如下参数：腔体的本底真空度为(5-8)×10-6torr，腔体真空度为(2.5-5.2...

【专利技术属性】
技术研发人员：李粮任，黄能舟，
申请(专利权)人：广东先导稀材股份有限公司，
类型：发明
国别省市：