一种硒硫化镉多晶的合成方法技术

一种硒硫化镉多晶的合成方法，所述硒硫化镉多晶为CdS

【技术实现步骤摘要】
一种硒硫化镉多晶的合成方法
本专利技术属于三元固溶体结构的半导体材料制备领域，特别涉及作为单晶生长原料的硒硫化镉多晶(CdSxSe1-x或Cr:CdSxSe1-x多晶)的合成方法。
技术介绍
中红外激光光源在军事红外对抗、激光制导、激光通讯与激光医学等方面有相当广泛而重大的应用前景。Cr2+掺杂II-VI族半导体材料CdS和CdSe单晶体是重要的2.3～3.3μm近-中红外固体激光器材料，是实现高功率、大能量、宽调谐中红外激光器的最有效途径之一。将CdS和CdSe形成固溶体结构的半导体材料，可以得到更高热导率、更宽禁带、更高效率的新型近-中红外激光晶体，使过渡金属掺杂II-VI族硫化物半导体材料在军事和民用领域具有更广泛的应用。CdSxSe1-x单晶和Cr2+:CdSxSe1-x单晶是CdS和CdSe形成的固溶体结构的半导体材料，但它们无法直接使用CdS和CdSe原料采用气相法生长出来，而是需要用CdSxSe1-x多晶为原料才能生长为CdSxSe1-x单晶，用Cr:CdSxSe1-x多晶为原料才能生长为Cr:CdSxSe1-x单晶，且C本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硒硫化镉多晶的合成方法，所述硒硫化镉多晶为CdS

【技术特征摘要】
1.一种硒硫化镉多晶的合成方法，所述硒硫化镉多晶为CdSxSe1-x多晶或Cr:CdSxSe1-x多晶，上述化学式中，0＜x＜1，其特征在于当合成CdSxSe1-x多晶时，以高纯度的CdSe和CdS为原料，CdSe与CdS的摩尔比为10(1-x)︰10x，且CdS在按上述摩尔比确定的摩尔数的基础上增加CdSe和CdS总摩尔数的0.1～0.5％；当合成Cr:CdSxSe1-x多晶时，以高纯度的CdSe、CdS和CrSe为原料，CdSe与CdS的摩尔比为10(1-x)︰10x，且CdS在按上述摩尔比确定的摩尔数的基础上增加CdSe和CdS总摩尔数的0.1～0.5％，CrSe的掺入量为CdSe和CdS总摩尔数的0.1％～10％；工艺步骤如下：
(1)合成容器的清洗与干燥
合成容器为石英内管和石英外管组成的双层石英安瓿，将清洗液注入石英内管反复清洗直至干净为止，将清洗后的石英内管进行干燥处理，完全去除其内部的水；
(2)装料与封结
将称量好的原料装入石英内管中，然后抽真空除气，在管内压强≤10-4Pa时封结石英内管，再将装有原料并封结后的石英内管放入石英外管中并抽真空除气，在管内压强≤10-1Pa时封结石英外管，并在石英外管的封结端制作石英挂钩；
(3)合成
①合成在可倾斜和转动的两区域加热管式炉中进行，所述两区域加热管式炉接近炉口的一端为第一温区，另一端为第二温区，将两区域加热管式炉...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄巍，何知宇，陈宝军，赵北君，朱世富，伍俊，
申请(专利权)人：四川大学，
类型：发明
国别省市：四川;51