功率半导体模块装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了功率半导体模块装置，其包括：布置在外壳中的半导体衬底，其中，至少一个半导体主体布置在半导体衬底的上表面上；以及安装装置，包括框架或主体以及耦合到框架或主体的至少一个端子元件。安装装置插入并且耦合到外壳。安装装置包括下表面，当安装装置插入并且耦合到外壳时，下表面停留在外壳的至少一个接触表面上。当安装装置插入并且耦合到外壳时，至少一个端子元件中的每一个用第一端部机械接触和电接触半导体衬底。当安装装置插入并且耦合到外壳时，半导体衬底的上表面与至少一个接触表面之间在垂直方向上的距离等于第一端部在半导体衬底的上表面与安装装置的下表面之间的长度，其中，垂直方向是垂直于半导体衬底的上表面的方向。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块装置
本公开涉及功率半导体模块装置。
技术介绍
功率半导体模块装置常常包括布置在外壳中的至少一个半导体衬底。包括多个可控半导体元件(例如，半桥构造中的两个IGBT)的半导体装置布置在至少一个衬底中的每一个上。每一个衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层、以及沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。可控半导体元件安装到例如第一金属化层上。第二金属化层可以可选地附接到基底板。可控半导体元件通常通过焊接或烧结技术安装到半导体衬底。电线或电连接用于连接功率半导体装置的不同的半导体器件。此外，提供端子元件以从外壳的外部接触半导体装置。这种端子元件通常用第一端部电耦合到第一金属化层。端子元件的第二端部突出到外壳的外部。需要功率半导体模块装置，其中，可以容易地安装端子元件，并且其中，可以容易地补偿由于与工艺有关的原因或由于半导体衬底的厚度变化而发生的公差。
技术实现思路
功率半导体模块装置包括：半导体衬底，所述半导体衬底布置在外壳中，其中，至少一个半导体主体布置在半导体衬底的上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块装置(300)，包括：/n半导体衬底(310)，所述半导体衬底(310)布置在外壳(37)中，其中，至少一个半导体主体(320)布置在所述半导体衬底(310)的上表面上；以及/n安装装置(40)，所述安装装置(40)包括框架或主体(41)、以及耦合到所述框架或主体(41)的至少一个端子元件(34)，其中，/n所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)，/n所述安装装置(40)包括下表面(412)，当所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)时，所述下表面(412)停留在所述外壳(37)的至少一个接触表面(371)上，/n当所述安装装置(40)插入并且耦合到...

【技术特征摘要】
20190506 EP 19172723.91.一种功率半导体模块装置(300)，包括：
半导体衬底(310)，所述半导体衬底(310)布置在外壳(37)中，其中，至少一个半导体主体(320)布置在所述半导体衬底(310)的上表面上；以及
安装装置(40)，所述安装装置(40)包括框架或主体(41)、以及耦合到所述框架或主体(41)的至少一个端子元件(34)，其中，
所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)，
所述安装装置(40)包括下表面(412)，当所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)时，所述下表面(412)停留在所述外壳(37)的至少一个接触表面(371)上，
当所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)时，所述至少一个端子元件(34)中的每一个用第一端部(342)机械接触和电接触所述半导体衬底(310)，并且
当所述安装装置(40)插入并且耦合到所述外壳(37)时，所述半导体衬底(310)的上表面与所述至少一个接触表面(371)之间在垂直方向(y)上的距离(d1)等于所述第一端部(342)在所述半导体衬底(310)的所述上表面与所述安装装置(40)的所述下表面(412)之间的长度(d2)，其中，所述垂直方向(y)是垂直于所述半导体衬底(310)的所述上表面的方向。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述至少一个接触表面(371)形成用于所述安装装置(40)的下部端部停止部。


3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述至少一个接触表面(371)中的每一个由所述外壳(37)的突出部、凹陷或凹部形成。

【专利技术属性】
技术研发人员：A·赫恩，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE