【技术实现步骤摘要】
一种功率模块外框及单次回流功率模块
本技术属于半导体
，更具体地，本技术涉及一种功率模块外框及单次回流功率模块。
技术介绍
IGBT模块(即功率模块)作为高功率电子器件，在新一代的工业制造、电动汽车制造、有轨电车制造以及新能源装备等领域有着广泛的应用。目前市面上IGBT模块多样化，结构相对分立器件及智能模块比较复杂，没有统一的标准，生产工艺繁杂，进而导致批量化生产困难。如何合理的改善产品结构，优化生产工艺，进而达到批量生产及质量可控，是IGBT领域的主要研究方向。图1为现有的功率模块结构示意图，目前此款IGBT模块生产工艺如下：DBC(陶瓷覆铜基板)印刷锡膏，贴芯片，一次回流，清洗，焊线，点锡膏，Pin针组装，二次回流，二次清洗，外壳组装，灌胶。其中Pin针组装工序，由于工艺技术限制，需要单个插针后再进行组装，一颗产品需要Pin针至少二十几根，生产效率低，且因手动作业，产品品质不可控，有可能出现漏针，错针，变形，错位等一系列品质异常及不良，且产品需二次回流，二次回流时，芯片会因锡膏融化产生位移及张力，进而焊线也...
【技术保护点】
1.一种功率模块外框，其特征在于，所述外框包括：框体及设于框体上的PIN针，PIN针的上端与大气接触，下端设于框体内，下端底部横穿框体的内壁，且相对于内壁凸出，凸出部分即为PIN针的连接部，PIN针通过连接部与功率芯片电气连接。/n
【技术特征摘要】
1.一种功率模块外框，其特征在于，所述外框包括：框体及设于框体上的PIN针，PIN针的上端与大气接触，下端设于框体内，下端底部横穿框体的内壁，且相对于内壁凸出，凸出部分即为PIN针的连接部，PIN针通过连接部与功率芯片电气连接。
2.如权利要求1所述功率模块外框，其特征在于，PIN针注塑在框体中，与框体一体化连接。
3.如权利要求1或2所述功率模块外框，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗艳玲，龚秀友，
申请(专利权)人：芜湖启迪半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽;34
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