功率半导体模块制造技术

本发明专利技术提供功率半导体模块(10)，包括衬底(12)，衬底具有电绝缘主层(20)，其设有结构化顶部金属化部(22)和底部金属化部(38)，其中顶部金属化部(22)设有至少一个功率半导体装置(24)和至少一个接触区(26)，其中主层(20)连同其顶部金属化部(22)和至少一个功率半导体装置(24)嵌入模制复合部(30)中，使得模制复合部(30)包括用于接触至少一个接触区(26)的至少一个开口(32)，且其中功率半导体模块(10)包括带周向侧壁(16)的壳体(14)，其中侧壁(16)定位于衬底(12)的主层(20)上方，使得侧壁(16)仅存在于位于穿过衬底(12)的主层(20)的平面上方的空间中。

Power semiconductor module

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】功率半导体模块
本专利技术涉及功率半导体模块。本专利技术尤其涉及表现出良好的长寿命的可靠性、良好的性能并且可按低成本生产的功率半导体模块。
技术介绍
包括功率半导体装置(诸如，开关功率半导体装置)的功率半导体模块大体上在本领域中是已知的。对于具体应用，在机械上和/或关于环境因素保护功率半导体装置可为重要的，以便使模块长时间可靠地工作。US2010/0133684A1描述了一种功率半导体模块，其包括：电路板，其具有金属底板、高导热绝缘层以及布线图案；功率半导体元件，其电连接到布线图案；管状外部端子连接主体，其被提供给布线图案，用于外部端子；以及传递模制树脂主体，其被包覆以使金属底板中的通孔暴露并且用于利用附接部件来使冷却翅片固定地附接到金属底板的在另一侧上的面、金属底板的在另一侧上的面、以及管状外部端子连接主体的顶部部分，以形成与通孔连通并且具有比通孔更大的直径的用于附接部件的插入孔，并且以覆盖金属底板和功率半导体元件的一侧和侧面。JP2011-187819A描述了一种树脂密封式功率模块，其包括：绝缘板；功率半导体元件，其布置于绝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1. 一种功率半导体模块(10)，包括具有电绝缘主层(20)的衬底(12)，所述电绝缘主层(20)设有结构化顶部金属化部(22)并且设有底部金属化部(38)，其中，所述顶部金属化部(22)设有至少一个功率半导体装置(24)和至少一个接触区(26)，其中，所述主层(20)连同其顶部金属化部(22)和所述至少一个功率半导体装置(24)嵌入于模制复合部(30)中，使得所述模制复合部(30)包括用于接触所述至少一个接触区(26) 的至少一个开口(32)；/n其中，所述功率半导体模块(10)包括带有周向侧壁(16)的壳体(14)，所述周向侧壁(16)连接到所述模制复合部(30)上，使得所述侧壁(16)定...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20170712 EP 17181052.61.一种功率半导体模块(10)，包括具有电绝缘主层(20)的衬底(12)，所述电绝缘主层(20)设有结构化顶部金属化部(22)并且设有底部金属化部(38)，其中，所述顶部金属化部(22)设有至少一个功率半导体装置(24)和至少一个接触区(26)，其中，所述主层(20)连同其顶部金属化部(22)和所述至少一个功率半导体装置(24)嵌入于模制复合部(30)中，使得所述模制复合部(30)包括用于接触所述至少一个接触区(26)的至少一个开口(32)；
其中，所述功率半导体模块(10)包括带有周向侧壁(16)的壳体(14)，所述周向侧壁(16)连接到所述模制复合部(30)上，使得所述侧壁(16)定位于所述主层(20)上方。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，所述周向侧壁(16)连接到所述模制复合部(30)的顶侧。


3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，所述周向侧壁(16)通过所述模制复合部(30)而沿与平行于所述衬底(12)的平面正交的方向与所述衬底(12)间隔开。


4.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块，其特征在于，当投影到平行于所述衬底(12)的平面上时，所述衬底(12)的延伸区与所述侧壁(16)的延伸区重叠。


5.根据权利要求1所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，所述开口(32)用电绝缘体填充。


6.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，用于使所述衬底(12)固定到冷却器的固定环(28)位于所述模制复合部(30)中。


7.根据前述权利要求中的任一项所述的功率半导体模块(10)，其特征在于，所述壳体(14)借助于粘合或借助于螺丝连接来连接到所述模制复合部(30)。<...

【专利技术属性】
技术研发人员：D特吕泽尔，S哈特曼，D吉永，
申请(专利权)人：ABB电网瑞士股份公司，
类型：发明
国别省市：瑞士;CH