功率半导体模块装置及其制造方法制造方法及图纸

一种功率半导体模块装置包括：布置在外壳中的半导体衬底，其中，至少一个半导体主体布置在半导体衬底上；以及包括框架或主体、第一端子元件和第二端子元件的安装装置。安装装置被插入在外壳中并与外壳耦合。第一和第二端子元件中的每者以第一端机械及电接触半导体衬底。第一和第二端子元件中的每者的中间部分穿过框架或主体延伸，第一和第二端子元件中的每者的第二端延伸到外壳外部，并且第一端子元件通过框架或主体的部分与第二端子元件介电绝缘。第一端子元件被注入到框架或主体中并且与框架或主体不可分开地耦合，并且第二端子元件布置在框架或主体内部的中空空间内，并且第二端子元件与框架或主体可拆分地耦合。

【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块装置及其制造方法
本公开涉及功率半导体模块装置及其制造方法。
技术介绍
功率半导体模块装置往往包括布置在外壳中的至少一个半导体衬底。包括多个可控半导体元件(例如，半桥构造中的两个IGBT)的半导体装置布置在所述至少一个衬底中的每者上。每一衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层、以及沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。例如，可控半导体元件安装在第一金属化层上。第二金属化层可以任选地附接至基板。可控半导体器件通常通过焊接或烧结技术安装到半导体衬底。电线或电连接部用于连接功率半导体装置的不同半导体器件。此外，还提供端子元件，从而从外壳外部接触半导体装置。这样的端子元件通常以第一端电耦合至第一金属化层。端子元件的第二端伸出到外壳外部。例如，通常用包封材料填充外壳，以保护不同元件免遭机械损伤以及免受诸如腐蚀性气体的有害物质的影响。此外，包封材料还在不同元件之间提供介电绝缘。然而，因为内部张力可能由于包封材料和不同元件的不同热膨胀系数而积聚，所以包封材料本身可能造成机械损伤。r>需要一种符合有关本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功率半导体模块装置(300)，包括：/n半导体衬底(310)，所述半导体衬底(310)布置在外壳(37)中，其中，至少一个半导体主体(320)布置在所述半导体衬底(310)上；以及/n安装装置(40)，所述安装装置(40)包括框架或主体(41)、第一端子元件(34

【技术特征摘要】
20190506 EP 19172724.71.一种功率半导体模块装置(300)，包括：
半导体衬底(310)，所述半导体衬底(310)布置在外壳(37)中，其中，至少一个半导体主体(320)布置在所述半导体衬底(310)上；以及
安装装置(40)，所述安装装置(40)包括框架或主体(41)、第一端子元件(341)和第二端子元件(342)，其中，
所述安装装置(40)被插入在所述外壳(37)中并与所述外壳(37)耦合，
所述第一端子元件和所述第二端子元件(341、342)中的每者以第一端(3421、3422)机械及电接触所述半导体衬底(310)，
所述第一端子元件和所述第二端子元件(341、342)中的每者的中间部分穿过所述框架或主体(41)延伸，
所述第一端子元件和所述第二端子元件(341、342)中的每者的第二端(3411、3412)延伸到所述外壳(37)外部，
所述第一端子元件(341)通过所述框架或主体(41)的部分与所述第二端子元件(342)介电绝缘，
所述第一端子元件(341)被注入到所述框架或主体(41)中并且与所述框架或主体(41)不可分开地耦合，并且
所述第二端子元件(342)布置在所述框架或主体(41)内的中空空间内，并且与所述框架或主体(41)可拆分地耦合。


2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置(300)，还包括处于所述外壳(37)内部的浇注材料(35)，所述浇注材料(35)覆盖所述半导体衬底(310)和安装于其上的所述至少一个半导体主体(320)。


3.根据权利要求1或2所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述安装装置(40)还包括突起(43)，在所述安装装置(40)被插入在所述外壳(37)中并与所述外壳(37)耦合时，所述突起(43)从所述框架或主体(41)朝向所述至少一个半导体衬底(310)延伸。


4.根据权利要求3所述的功率半导体模块装置，其中，所述突起(43)部分地浸入到所述浇注材料(35)中，并且在所述浇注材料(35)和所述安装装置(40)之间限定中空空间。


5.根据权利要求4所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述中空空间在一个水平方向上是开放的。


6.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(300)，其中，在所述框架或主体(41)内部的所述第一端子元件(341)和所述第二端子元件(342)之间的距离(d3)处于1mm和3mm之间。


7.根据权利要求6所述的功率半导体模块装置(300)，其中，在所述框架或主体(41)内部的所述第一端子元件(341)和所述第二端子元件(342)之间的所述距离(d3)为1.5mm。


8.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(300)，其中，在所述安装装置(40)被插入在所述外壳(37)中并与所述外壳(37)耦合时，所述第二端(3411、3412)中的每者在所述外壳(37)外部并且平行于所述半导体衬底(310)的顶表面延伸，其中，所述半导体衬底(310)的顶表面是所述至少一个半导体主体(320)安装于其上的表面。


9.根据前述权利要求中的任何一项所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述安装装置(40)形成所述外壳(37)的盖的至少一部分。


10.一种安装装置(40)，包括：

【专利技术属性】
技术研发人员：A·赫恩，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE