【技术实现步骤摘要】
功率半导体模块装置
本公开涉及功率半导体模块装置。
技术介绍
功率半导体模块装置往往包括布置在外壳中的至少一个半导体衬底。包括多个可控半导体元件(例如，半桥构造中的两个IGBT)的半导体装置布置在所述至少一个衬底中的每者上。每一衬底通常包括衬底层(例如，陶瓷层)、沉积在衬底层的第一侧上的第一金属化层以及沉积在衬底层的第二侧上的第二金属化层。例如，可控半导体元件被安装在第一金属化层上。第二金属化层可以任选地附接至基板。可控半导体器件通常通过焊接或烧结技术安装到半导体衬底。电线或电连接部用于使功率半导体装置的不同半导体器件相互连接。此外，还提供端子元件，以从外壳外部与半导体装置接触。这样的端子元件通常以第一端电耦合至第一金属化层。端子元件的第二端伸出到外壳外部。功率半导体模块装置的布局，尤其是第二端或端子元件的定位可能对半导体装置的开关特性造成影响。需要在其中满足有关爬电距离的要求的、具有改善的开关特性的功率半导体模块装置。
技术实现思路
一种功率半导体模块装置包括第一开关元件和第二开关元件，...
【技术保护点】
1.一种功率半导体模块装置(300)，包括：/n第一开关元件(S1)和第二开关元件(S2)，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)均具有控制端子(10、14)和处于两个负载端子之间的可控的负载路径，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)的所述负载路径可操作地串联耦合，并且在被配置为可操作地耦合至第一电势(DC+)的第一电源节点与被配置为可操作地耦合至第二电势(DC-)的第二电源节点之间，其中，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)经由第一公共节点相互连接；以及/n输出节点，所述输出节点被配置为耦合至输出电势(AC)，其中，所述输出节点耦合...
【技术特征摘要】 【专利技术属性】
20190506 EP 19172721.31.一种功率半导体模块装置(300)，包括：
第一开关元件(S1)和第二开关元件(S2)，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)均具有控制端子(10、14)和处于两个负载端子之间的可控的负载路径，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)的所述负载路径可操作地串联耦合，并且在被配置为可操作地耦合至第一电势(DC+)的第一电源节点与被配置为可操作地耦合至第二电势(DC-)的第二电源节点之间，其中，所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)经由第一公共节点相互连接；以及
输出节点，所述输出节点被配置为耦合至输出电势(AC)，其中，所述输出节点耦合至所述第一公共节点，其中，
所述第一电源节点由多个第一端子(1、2、9)形成，
所述第二电源节点由多个第二端子(6、7、8)形成，
所述输出节点由多个第三端子(3、4、5)形成，
所述第一开关元件(S1)的第一辅助发射极端子(11)电耦合至所述第一开关元件(S1)的所述控制端子(10)，
所述第二开关元件(S2)的第二辅助发射极端子(15)电耦合至所述第二开关元件(S2)的所述控制端子(14)，
所述第一开关元件(S1)和所述第二开关元件(S2)布置在外壳(37)内部，所述外壳(37)包括第一纵向侧(L1)、第二纵向侧(L2)、第一窄侧(B1)和第二窄侧(B2)，
所述第一端子(1、2)至少部分地布置在所述外壳(37)的与所述第一窄侧(B1)相邻的第一区段中，
所述第三端子(3、4、5)、所述第一控制端子(10)、第一发射极端子(12)和所述第一辅助发射极端子(11)布置在所述外壳(37)的与所述第二窄侧(B2)相邻的第三区段中，并且
所述第二端子(6、7、8)、所述第二控制端子(14)、第二发射极端子(13)和所述第二辅助发射极端子(15)布置在所述外壳(37)的第二区段中，其中，所述第二区段布置于所述第一区段和第三区段之间。
2.根据权利要求1所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述第一端子之一(9)布置在远离所述第一区段的第四区段中。
3.根据权利要求2所述的功率半导体模块装置(300)，其中，所述第四区段布置为与所述第二纵向侧(L2)相邻，并且与所述第二区段和所述第三区段相邻，并且其中，所述第二区段布置在所述第一区段和所述第四区段之间。
技术研发人员：A·赫恩，
申请(专利权)人：英飞凌科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：德国;DE
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