三轴加速计制造技术

本发明专利技术包括一种制造三轴加速计的方法。具有第一和第二主表面的第一晶片，在第一晶片的第一主表面上蚀刻至少两个空腔，将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案以形成用于第三加速计的电连接。第二晶片，蚀刻第二晶片的第一主表面的一部分，将第一晶片的第一主表面粘合到第二晶片的第一主表面。对放置了镀金属并使其形式图案的表面进行蚀刻和粘合，并在第二晶片的第二主表面上放置掩膜层并使其形成图案，定义第一、第二和第三加速计的形状。第一和第二加速计将形成在在第一晶片的第一主表面上蚀刻的空腔之上。蚀刻第二晶片的第二主表面以形成加速计，其中，第一和第二加速计每个包括至少两组独立的横梁。随后从第二晶片的第二主表面去除掩膜层。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】三轴加速计
本专利技术涉及一种微电机装置，具体地说，涉及能够检测沿着三个正交轴的加速度的电容微电机加速计。
技术介绍
目前，制造微电机加速计以用于许多应用，包括车辆气囊和惯性导航以及指引系统。对于诸如车辆气囊的应用，加速计需要既准确又便宜。使用与在集成电路制造中使用的制造处理步骤相似或相同的制造处理步骤，电机加速计被形成在晶片上。微电机装置将电子和机械功能组合进一个装置。微电机装置的制造一般基于多晶硅(polysilicon)和牺牲材料(诸如二氧化硅(SiO2)或硅酸盐玻璃)的交替的层的制造和处理。多晶硅层被逐层地建立并形成图案以形成装置的结构。一旦完成了该结构，则通过蚀刻去除牺牲材料来释放用于操作的微电机加速计的多晶硅构件。在一些微电机加速计中去除牺牲材料包括使用等向性释放蚀刻来从加速计的下表面释放加速计的横梁。这种释放有这样的缺点，即，蚀刻掉了部分横梁并且减少了加速计的检测质量和有效性。上述加速计制造的类型提供一种与晶片的平面共面的加速计。使用该方法，两个加速计可被制造在一个晶片中以测量两个正交方向上的加速度，这两个方向都与晶片的平面共面。对于测量垂直于晶片的平面的加速度的加速本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造三轴加速计的方法，该方法包括以下步骤：提供具有第一主表面和第二主表面的绝缘材料的第一晶片，在第一晶片的第一主表面上蚀刻至少两个空腔，将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案以形成用于第三加速计的电连接， 提供半导体材料的第二晶片，蚀刻第二晶片的第一主表面的一部分，将第一晶片的第一主表面粘合到第二晶片的第一主表面，使得第二晶片的至少一部分蚀刻部分在第一晶片的至少一部分金属之上，在第二晶片的第二主表面上沉积镀金属并使其形成图案， 在第二晶片的第二主表面上沉积掩膜层并使其形成图案，其限定第一加速计、第二...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】SG 2003-8-14 200304840-21、一种制造三轴加速计的方法，该方法包括以下步骤：提供具有第一主表面和第二主表面的绝缘材料的第一晶片，在第一晶片的第一主表面上蚀刻至少两个空腔，将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案以形成用于第三加速计的电连接，提供半导体材料的第二晶片，蚀刻第二晶片的第一主表面的一部分，将第一晶片的第一主表面粘合到第二晶片的第一主表面，使得第二晶片的至少一部分蚀刻部分在第一晶片的至少一部分金属之上，在第二晶片的第二主表面上沉积镀金属并使其形成图案，在第二晶片的第二主表面上沉积掩膜层并使其形成图案，其限定第一加速计、第二加速计和第三加速计的形状，使得第一和第二加速计将形成在在第一晶片的第一主表面上蚀刻的空腔之上，蚀刻第二晶片的第二主表面以形成加速计，其中，第一和第二加速计每个包括至少两组独立的横梁，以及从第二晶片的第二主表面去除掩膜层。2、一种如权利要求1所述的制造三轴加速计的方法，其中，第一晶片是绝缘材料。3、一种如权利要求2所述的制造三轴加速计的方法，其中，第一晶片由玻璃形成。4、一种如权利要求2所述的制造三轴加速计的方法，其中，第一晶片由硼硅酸盐玻璃形成。5、一种如权利要求1至4中的任意一个所述的制造三轴加速计的方法，其中，用于在第一晶片的第一主表面上形成空腔的蚀刻步骤是异向性蚀刻。6、一种如权利要求1至5中的任意一个所述的制造三轴加速计的方法，其中，沉积在晶片上的金属是铬或金。7、一种如权利要求1至6中的任意一个所述的制造三轴加速计的方法，其中，将金属在第一晶片的第一主表面上形成图案的步骤形成用于第三加速计的第一电连接。8、一种如权利要求1至7中的任意一个所述的制造三轴加速计的方法，其中，将金属在...

【专利技术属性】
技术研发人员：凯特加玛桑德拉姆索利亚库玛，郭杰伟，布莱彦K帕特蒙，
申请(专利权)人：森斯费伯私人有限公司，
类型：发明
国别省市：SG[新加坡]