一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法技术

本发明专利技术提供了一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法，包括如下步骤：(a)制造第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、嵌入在所述绝缘层中的芯片以及在第一基板的芯片端子面上的布线层，其中在所述布线层上具有暴露出芯片端子面的开口；(b)制造第二基板，所述第二基板包括第二绝缘层；(c)在所述布线层上局部施加第一粘合层，使得暴露出芯片端子面的开口不被覆盖，以及在第二基板上施加第二粘合层；(d)将所述第一基板的第一粘合层和所述第二基板的第二粘合层贴合固化，得到在芯片端子面上形成有空气谐振腔的嵌埋封装结构。

【技术实现步骤摘要】
一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法
本专利技术涉及制造具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的方法。
技术介绍
滤波是信号处理中的一项基本而重要的技术，滤波就是利用滤波技术从各种信号中提供需要的信号，同时同时滤除不需要的干扰信号。滤波器是信号频域分析中的一个重要器件，通过滤波器处理后所需要的信号进一步得到加强(放大)，不需要的信号得到滤除，放大需要的信号和滤除不需要的信号所用的原理是利用信号在介质中的共振(谐振)来实现的。以表面声波滤波器为例，在压电材料的基体上有发端和收端两个换能器，输入信号加在发端换能器上，由于基体的压电效应将电信号转换成在基体表面传播的声信号，即表面声波，声波传至收端换能器后，在将声信号转换成电信号输出至负载，在电-声-电转换和声传递过程中，实现了一个宽带信号转换成N个窄带信号或相反过程的滤波操作。现有技术中形成空气腔的方法目前主要有晶圆级别操作和面板级别操作两种，例如图1-4所示。1、晶圆级别-1：如图1所示，将电极21-介电层23-电极22结构下方的硅或二氧化硅层11、12用蚀刻方法挖空形成空气腔3。这种空气腔结构的挖空难度非常大，同时电极21-介电层23-电极22结构的厚度薄(十纳米至百纳米级别)，制程强度不高，在蚀刻过程中极有可能因为槽内蚀刻液的重力或风刀的压力导致结构断裂，良率低，且空气腔的深度调节难度大。2、晶圆级别-2：如图2所示，在晶圆衬底30和盖子31上分别形成滤波器的2个电极，盖子和晶圆衬底通过高温金属键合的方式形成内部具有空气的空气腔32结构。这种键合的方式成本极高，尚无法在面板级别生产中运用。3、晶圆级别-3：如图3所示，在诸如硅或二氧化硅、玻璃等的晶圆载体51上控深蚀刻出一定深度的槽61、62后，用牺牲层52将槽填起来，再依次形成电极56-绝缘层53-电极57，用绝缘层54覆盖后将牺牲层52用蚀刻的方法去除。这种方法虽然解决了空气腔上方的制程难度大的问题和深度控制的问题，但是在蚀刻牺牲层的过程中由于上方被遮挡，蚀刻液或蚀刻气体不易排出，会导致残留，同时进出液口或气孔的存在会导致空气腔的气密性存在风险。4、面板级别：如图4所示，在SMT(表面贴装)工艺中，在将芯片73通过焊球74贴装在基板72上后，采用高粘度、低流动性的塑封料71封装芯片73，阻止塑封料71流入到芯片73的下方区域，形成空气腔75。此种方法工艺难度大，而且空气腔需要伴随经历后续制程，容易发生漏气，而且空气腔深度难以调节，良率较低。因此，在现有技术中，在封装结构中形成空气腔的方法存在作业设备要求精度高、稳定性苛刻、设计不灵活、单位时间内产出低、成本高、良率低等问题。本专利技术的实施方案解决了这些问题。
技术实现思路
本专利技术涉及一种具有空气谐振腔的嵌埋封装结构的制造方法，包括如下步骤：(a)制造第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、嵌入在所述绝缘层中的芯片以及在第一基板的芯片端子面上的布线层，其中在所述布线层上具有暴露出芯片端子面的开口；(b)制造第二基板，所述第二基板包括第二绝缘层；(c)在所述布线层上局部施加第一粘合层，使得暴露出芯片端子面的开口不被覆盖，以及在第二基板上施加第二粘合层；(d)将所述第一基板的第一粘合层和所述第二基板的第二粘合层贴合固化，得到在芯片端子面上形成有空气谐振腔的嵌埋封装结构。在一些实施方案中，步骤(a)还包括：(a1)准备聚合物基质制成的框架，其中所述框架具有贯穿框架的第一铜柱以及被框架包围的芯片插座；(a2)在所述框架的底面粘贴胶带并将芯片置入所述芯片插座内，其中芯片端子面附着在胶带上；(a3)用第一绝缘材料填充芯片插座，形成芯片嵌埋其中的第一绝缘层；(a4)移除所述胶带；(a5)在所述框架的底面形成布线层，其中在所述布线层上形成暴露出芯片端子面的开口。在一些实施方案中，步骤(a5)还包括：(a51)在所述框架的底面施加第一种子层；(a52)在所述第一种子层上施加第一光刻胶层并图案化；(a53)在图案中电镀铜形成布线层；(a54)移除所述第一光刻胶层；(a55)移除暴露的种子层，形成暴露出芯片端子面的开口。在一些实施方案中，步骤(a5)还包括：(a50)减薄所述第一绝缘层以暴露出所述第一铜柱的端部。在一些实施方案中，步骤(a1)还包括：准备牺牲载体；在所述牺牲载体上布设第二光刻胶层；图案化所述第二光刻胶层；在图案中电镀铜形成第一铜柱；剥除第二光刻胶层；用聚合物电介质层压所述第一铜柱；对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化，以暴露所述第一铜柱的端部；移除所述牺牲载体；在所述聚合物电介质中机械加工出芯片插座形成所述框架。在一些实施方案中，步骤(b)还包括：(b1)在牺牲载体上施加第二绝缘材料形成第二绝缘层；(b2)在所述第二绝缘层上形成第二特征层；(b3)移除所述牺牲载体，得到第二基板。在一些实施方案中，所述牺牲载体选自铜箔或至少一面具有双层铜箔的覆铜板。在一些实施方案中，步骤(b)还包括：在单面具有双层铜箔的覆铜板的铜箔面上施加第二绝缘材料形成第二绝缘层；在所述第二绝缘层上形成第一特征层；通过分离所述双层铜箔移除所述覆铜板，使得在所述第二绝缘层的底面保留单层铜箔。在一些实施方案中，步骤(c)还包括：通过选择性喷印、网板涂布和局部点胶中的至少一种方式局部施加第一粘合层。在一些实施方案中，第一粘合层和第二粘合层包括热固型树脂材料。在一些实施方案中，第一粘合层和第二粘合层包括相同或不同的材料。在一些实施方案中，还包括以下步骤：(e)在所述第一绝缘层和第二绝缘层的外侧形成外特征层。在一些实施方案中，所述步骤(e)还包括：在所述第一绝缘层上施加第二种子层；在所述第二种子层上施加第二光刻胶层并图案化；在图案中电镀铜，形成第一外特征层；移除第二光刻胶层和蚀刻移除第二种子层。在一些实施方案中，所述步骤(e)还包括：在所述第二绝缘层的底面上形成盲孔以暴露出所述布线层；在所述第二绝缘层的底面上和所述盲孔内施加第二种子层；在所述第二种子层上施加第三光刻胶层并图案化；在图案和盲孔中电镀铜，形成第二外特征层和第二铜柱；移除第三光刻胶层和蚀刻移除第二种子层。附图说明为了更好地理解本专利技术并示出本专利技术的实施方式，以下纯粹以举例的方式参照附图。具体参照附图时，必须强调的是特定的图示是示例性的并且目的仅在于说明性地讨论本专利技术的优选实施方案，并且基于提供被认为是对于本专利技术的原理和概念方面的描述最有用和最易于理解的图示的原因而被呈现。就此而言，没有试图将本专利技术的结构细节以超出对本专利技术基本理解所必须的详细程度来图示；参照附图的说明使本领域技术人员认识到本专利技术的几种形式可如何实际体现出来。在附图中：图1为现有技术中的第一种具有空气腔的结构截图示意图；图2为现有技术中的第二种具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有空气谐振腔体的嵌埋封装结构的制造方法，包括如下步骤：/n(a)制造第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、嵌入在所述绝缘层中的芯片以及在第一基板的芯片端子面上的布线层，其中在所述布线层上具有暴露出芯片端子面的开口；/n(b)制造第二基板，所述第二基板包括第二绝缘层；/n(c)在所述布线层上局部施加第一粘合层，使得暴露出芯片端子面的开口不被覆盖，以及在第二基板上施加第二粘合层；/n(d)将所述第一基板的第一粘合层和所述第二基板的第二粘合层贴合固化，得到在芯片端子面上形成有空气谐振腔的嵌埋封装结构。/n

【技术特征摘要】
1.一种具有空气谐振腔体的嵌埋封装结构的制造方法，包括如下步骤：
(a)制造第一基板，所述第一基板包括第一绝缘层、嵌入在所述绝缘层中的芯片以及在第一基板的芯片端子面上的布线层，其中在所述布线层上具有暴露出芯片端子面的开口；
(b)制造第二基板，所述第二基板包括第二绝缘层；
(c)在所述布线层上局部施加第一粘合层，使得暴露出芯片端子面的开口不被覆盖，以及在第二基板上施加第二粘合层；
(d)将所述第一基板的第一粘合层和所述第二基板的第二粘合层贴合固化，得到在芯片端子面上形成有空气谐振腔的嵌埋封装结构。


2.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a)还包括：
(a1)准备聚合物基质制成的框架，其中所述框架具有贯穿框架的第一铜柱以及被框架包围的芯片插座；
(a2)在所述框架的底面粘贴胶带并将芯片置入所述芯片插座内，其中芯片端子面附着在胶带上；
(a3)用第一绝缘材料填充芯片插座，形成芯片嵌埋其中的第一绝缘层；
(a4)移除所述胶带；
(a5)在所述框架的底面形成布线层，其中在所述布线层上形成暴露出芯片端子面的开口。


3.根据权利要求2所述的方法，其中步骤(a5)还包括：
(a51)在所述框架的底面施加第一种子层；
(a52)在所述第一种子层上施加第一光刻胶层并图案化；
(a53)在图案中电镀铜形成布线层；
(a54)移除所述第一光刻胶层；
(a55)移除暴露的种子层，形成暴露出芯片端子面的开口。


4.根据权利要求3所述的方法，其中步骤(a5)还包括：
(a50)减薄所述第一绝缘层以暴露出所述第一铜柱的端部。


5.根据权利要求1所述的方法，其中步骤(a1)还包括：
准备牺牲载体；
在所述牺牲载体上布设第二光刻胶层；
图案化所述第二光刻胶层；
在图案中电镀铜形成第一铜柱；
剥除第二光刻胶层；
用聚合物电介质层压所述第一铜柱；
对所述聚合物电介质进行减薄和平坦化，以暴露所述第一铜柱的端部；
移...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯磊，黄本霞，冯进东，洪业杰，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44