【技术实现步骤摘要】
一种高密度光刻图案处理方法
本专利技术属于光刻机
，更具体地，涉及一种高密度光刻图案处理方法。
技术介绍
历史上，曝光式光刻机技术经历了五代产品的发展。第一代为436纳米光源接触接近式光刻机，其光刻制程为几百纳米；第二代为365纳米光源接触接近式光刻机，其光刻制程相比第一代稍有提高；第三代为248纳米步进扫描投影式光刻机，其光刻制程达到65纳米；第四代为193纳米步进扫描投影式光刻机和193纳米浸没式步进扫描投影式光刻机，其光刻制程可达22纳米；第五代为13.5纳米极紫外式光刻机，其光刻制程可达7纳米。五代光刻机产品性能的提升，主要通过直接和间接采用更短波长光源的方法，以获得更高分辨率的光刻制程，其代价是光刻机整机的制造难度和造价急剧攀升。采用更短波长光源，首先面临的问题是光源制造难度的增加。相比于深紫外光和极深紫外光光源，可见光和近紫外光光源更加容易实现。特别是13.5纳米的极深紫外光源，它是通过高能二氧化碳激光器辐照液体锡滴，激发出13.5纳米的等离子体辐射而产生的。其次，紫外光束的传输调控需要特殊的光学系...
【技术保护点】
1.一种高密度光刻图案处理方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1：将目标高密度光刻图案分解为多个低密度光刻图案，分解后的多个低密度光刻图案形状相同或者不同，并且分解后的多个低密度光刻图案能相互拼接而还原成目标高密度光刻图案，/nS2：采用投影式光刻方式获得多个低密度光刻图案，每一个低密度光刻图案需要一次单独曝光，多个低密度光刻图案对应多次单独曝光，相应获得多个低密度曝光图案，/nS3：移动多个低密度曝光图案与光刻胶材料的相对位置以最终改变多个低密度曝光图案之间的相对位置，从而由多个低密度曝光图案拼接得到目标高密度曝光图案。/n
【技术特征摘要】
1.一种高密度光刻图案处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
S1：将目标高密度光刻图案分解为多个低密度光刻图案，分解后的多个低密度光刻图案形状相同或者不同，并且分解后的多个低密度光刻图案能相互拼接而还原成目标高密度光刻图案，
S2：采用投影式光刻方式获得多个低密度光刻图案，每一个低密度光刻图案需要一次单独曝光，多个低密度光刻图案对应多次单独曝光，相应获得多个低密度曝光图案，
S3：移动多个低密度曝光图案与光刻胶材料的相对位置以最终改变多个低密度曝光图案之间的相对位置，从而由多个低密度曝光图案拼接得到目标高密度曝光图案。
2.如权利要求1所述的一种高密度光刻图案处理方法，其特征在于，步骤S2中，采用双光束光源以投影光刻方式在介质上获得多个低密度光刻图案，且双光束光源以投影光刻方式具体是指基于阴阳文光强互补掩膜版的投影光刻，其中，阴阳文光强互补是指两束光经过各自掩膜版调制后所形成的图案在光强上是阴阳文互补的。
3.如权利要求2所述的一种高密度光刻图案处理方法，其特征在于，步骤S2中，每一个低密度光刻图案的特征尺寸相比双光束中任意一束光单独投影光刻时变小，且每一个低密度光刻图案特征分辨率不低于两束光中最长波长所对应的经典光学阿贝衍射极限尺寸，其中，光刻图案的特征尺寸是指光刻图案线条的线宽，光刻图案特征分辨率是指光刻出的图案中两条相邻光刻线的中心间距。
4.如权利要求3所述的一种高密度光刻图案处理方法，其特征在于，双光束光源投影光刻中，第一束光用作制造光，制造光被调制成所需要的图案，并微缩投影到光刻胶上实现曝光，另一束光用作辅助光，辅助光经历与制造光相同或相似的微缩投影过程，被调制成与第一束制造光光强阴阳文互补的图案，与制造光同时或者不同时投影到光刻胶上，两束光的光强阴阳文互补图案在第一束制造光对应投影图案衍射边缘处对准，两束光对光刻胶材料共同作用，能减小第一束光由衍射带来的对投影图案衍射边缘的影响，使之衍射边缘尺寸变小，投影图案边缘更明锐。
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