基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法及光刻机技术

本发明专利技术公开了一种基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法及光刻机，方法包括：利用UV‑LED光源作为光刻光源，所述UV‑LED光源的出射光束照射在微透镜阵列上，形成待曝光图形；将晶圆安装在晶圆工件台上；曝光时，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，将待曝光图形传递到晶圆上。本发明专利技术无需传统的掩模版，并可实现无限大曝光区域，提高了曝光效率。

【技术实现步骤摘要】
基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法及光刻机
本专利技术涉及半导体
，具体地，设计一种光刻机及其曝光方法。
技术介绍
光刻技术是半导体
中的关键技术，而曝光是光刻技术中的关键步骤。随着对半导体制造产品的要求越来越高，对曝光的发展要求也越来越高。目前，通常采用掩模板等进行曝光，将图像转移到掩模板上，但是，掩模会增加系统的复杂性。
技术实现思路
鉴于以上问题，本专利技术的目的是提供一种基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，包括：利用UV-LED光源作为光刻光源，所述UV-LED光源的出射光束照射在微透镜阵列上，形成待曝光图形；将晶圆安装在晶圆工件台上；曝光时，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，将待曝光图形传递到晶圆上。优选地，所述晶圆工件台包括：XY运动台、Z轴晶圆卡盘、真空吸盘和气压缸，真空吸盘安装在XY运动台上，Z轴晶圆卡盘用于卡在晶圆的周边，气压缸用于将晶圆吸附在真空吸盘上。优选地，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，其特征在于，包括：/n利用UV-LED光源作为光刻光源，所述UV-LED光源的出射光束照射在微透镜阵列上，形成待曝光图形；/n将晶圆安装在晶圆工件台上；/n曝光时，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，将待曝光图形传递到晶圆上。/n

【技术特征摘要】
1.一种基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，其特征在于，包括：
利用UV-LED光源作为光刻光源，所述UV-LED光源的出射光束照射在微透镜阵列上，形成待曝光图形；
将晶圆安装在晶圆工件台上；
曝光时，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，将待曝光图形传递到晶圆上。


2.根据权利要求1所述的基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，其特征在于，所述晶圆工件台包括：XY运动台、Z轴晶圆卡盘、真空吸盘和气压缸，真空吸盘安装在XY运动台上，Z轴晶圆卡盘用于卡在晶圆的周边，气压缸用于将晶圆吸附在真空吸盘上。


3.根据权利要求1所述的基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，其特征在于，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，包括：
将晶圆表面划分为多个大小相同的矩形区域的网格单元；
将晶圆工件台按照蛇形移动，并按照蛇形路线依次曝光各个网格单元，传递待曝光图形。


4.根据权利要求3所述的基于数字微透镜阵列的无掩模曝光方法，其特征在于，通过控制系统控制所述晶圆工件台进行步进运动，完成对整块晶圆的曝光，还包括：
将每个网格单元作为一个曝光子区域；
通过微透镜阵列形成与每一个曝光子区域对应的待曝光图形；
通过曝光将与每一个曝光子区域对应的待曝光图形传递到晶圆上；
将与每一个曝光子区域对应的待曝...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱煜，杨开明，
申请(专利权)人：北京华卓精科科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11