一种治具制造技术

本实用新型专利技术公开了一种治具，属于光通讯技术领域。本实用新型专利技术的治具包括：承载容器，所述承载容器用于承装用于腐蚀晶片第一表面的化学腐蚀试剂；真空吸附部件，所述真空吸附部件作用于晶片的第二表面，所述真空吸附部件能够通过吸取真空，以吸紧晶片；真空动力部件，所述真空动力部件与所述真空吸附部件相连，用于提供真空吸附的动力。本实用新型专利技术的治具能够带动晶片在化学腐蚀试剂内进行操作，保证晶片得到充分地腐蚀。

【技术实现步骤摘要】
一种治具
本技术涉及光通讯
，具体涉及一种治具。
技术介绍
在半导体制造中有两种基本的刻蚀工艺：干法刻蚀和湿法刻蚀。干法刻蚀是把晶片表面曝露于气态中产生的等离子体，等离子体通过光刻胶中开出的窗口与硅片发生物理或化学反应(或这两种反应)，从而去掉曝露的表面材料。而在湿法腐蚀中，液体化学试剂(如酸、碱和特殊自配溶剂等)以化学方式去除晶片表面的材料。但是，在湿法刻蚀工艺中，由于液体化学试剂具有特殊腐蚀性，而为了达到工艺效果，同时又需要在腐蚀过程中不断对晶圆进行各种动作操作，因此，需要能够夹持晶圆，同时又保证晶圆能够被腐蚀液充分的腐蚀。
技术实现思路
为了解决现有技术的不足或者部分地解决现有技术的不足，本技术实施例提供一种治具，可以在晶片的第二表面吸紧晶片，以带动晶片在化学腐蚀试剂内运动。本技术实施例提供一种治具，包括：承载容器，所述承载容器用于承装用于腐蚀晶片第一表面的化学腐蚀试剂；真空吸附部件，所述真空吸附部件作用于晶片的第二表面，所述真空吸附部件能够通过吸取真空，以吸紧晶片；真空动力部本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种治具，其特征在于，包括：/n承载容器，所述承载容器用于承装用于腐蚀晶片第一表面的化学腐蚀试剂；/n真空吸附部件，所述真空吸附部件作用于晶片的第二表面，所述真空吸附部件能够通过吸取真空，以吸紧晶片；/n真空动力部件，所述真空动力部件与所述真空吸附部件相连，用于提供真空吸附的动力。/n

【技术特征摘要】
1.一种治具，其特征在于，包括：
承载容器，所述承载容器用于承装用于腐蚀晶片第一表面的化学腐蚀试剂；
真空吸附部件，所述真空吸附部件作用于晶片的第二表面，所述真空吸附部件能够通过吸取真空，以吸紧晶片；
真空动力部件，所述真空动力部件与所述真空吸附部件相连，用于提供真空吸附的动力。


2.根据权利要求1所述的治具，其特征在于，所述真空吸附部件包括基板、设于所述基板上的吸附槽以及与所述吸附槽相连通的吸头，所述吸附槽能够与晶片的第二表面之间形成一密封空间，所述吸头与所述真空动力部件相连。


3.根据权利要求2所述的治具，其特征在于，所述吸附槽包括槽主体以及围绕所述槽主体的贴合壁，所述吸附槽与晶片的第二表面之间形成所述密封空间时，所述贴合壁与晶片的第二表面密封贴合。


4.根据...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘强，邹颜，杨彦伟，张续朋，
申请(专利权)人：芯思杰技术深圳股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东;44