晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，该装置包括在垂直光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、合像光学元件和半导体晶粒，所述合像光学元件与半导体晶粒之间的两侧部设有梯形转像棱镜，半导体晶粒的两个侧面分别通过梯形转像棱镜、合像光学元件以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置,本实用新型专利技术以单一的合像光学元件取代两个独立的直角转像棱镜实现双面成像光路的合像功能，该方案装配结构简单，合像光路调试更简易方便，且双面合像精度更高。

【技术实现步骤摘要】
晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置
：本技术属于光学检测和机器视觉领域，尤其涉及一种基于合像光学元件的晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置。
技术介绍
：本申请人此前的申请，名称：“实现半导体晶粒相对两表面等光程成像的光学检测装置及方法”申请号：“2019113692573，其中晶粒相对两面的像在CCD传感器的合成需要两块基于全反射的直角反射棱镜（如图1所示），或一块直角双面反射棱镜（如图2所示）；前者对直角反射棱镜的精密装配调试有较高的技术难度要求，后者因为需要镀制高反射反光膜及可靠性而不作为优先考虑的选项，另直角反射棱镜的45度棱边在加工过程中难免有破边缺角，相邻两个有缺陷的棱边将会影响双面像的识别与成像质量，因此寻找双面成像间隔可控且元件制造工艺性佳的方案成为必要。另外，本申请人此前申请的两件专利，专利名称：“获得半导体晶粒相对两面光学检测完全等照度照明的方法”，专利申请号：“2019113692588；以及专利名称：“用于半导体晶粒双面缺陷同时检测装置的照明补偿新方法”，专利申请号：“201911315115.本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，其特征在于：包括在垂直光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、合像光学元件和半导体晶粒，所述合像光学元件与半导体晶粒之间的两侧部设有梯形转像棱镜，半导体晶粒的两个侧面分别通过梯形转像棱镜、合像光学元件以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。/n

【技术特征摘要】
1.一种晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，其特征在于：包括在垂直光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、合像光学元件和半导体晶粒，所述合像光学元件与半导体晶粒之间的两侧部设有梯形转像棱镜，半导体晶粒的两个侧面分别通过梯形转像棱镜、合像光学元件以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。


2.一种晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，其特征在于：包括在垂直光路方向上依次设置的相机、远心成像镜头、合像光学元件和半导体晶粒，所述合像光学元件与半导体晶粒之间的上、下两侧设有梯形转像棱镜，半导体晶粒的天面和底面分别通过梯形转像棱镜、合像光学元件以双光路成像在相机传感器面上不同的区域位置。


3.根据权利要求1或2所述晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，其特征在于：所述合像光学元件靠近相机的天面为平面，为双光路的合像输出面，该合像光学元件天面垂直于相机光轴，合像光学元件左侧平面与右侧平面分别为双光路成像输入面，且平行于相机光轴，合像光学元件远离相机且垂直于光轴的底面孔径中心为互成90度的全反射面，互成90度的全反射面构成Ⅴ形槽内全反射面。


4.根据权利要求3所述晶粒双面同时等光程成像且等照度照明的检测装置，其特征在于：所述合像光学元件为长方体状，其尺寸为20...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖廷俤，颜少彬，段亚凡，李世展，
申请(专利权)人：泉州师范学院，
类型：新型
国别省市：福建;35